1.產(chǎn)品概述：

高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過(guò)渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)等部分組成，體現(xiàn)立方整體外觀，適用于超凈間間壁隔離安裝，操作面板一端處在相對(duì)要求較高超凈環(huán)境，其余部分（含低溫泵抽系統(tǒng)）處在相對(duì)要求較低超凈環(huán)境。

2.設(shè)備用途：

高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)配有一套電子槍及電源，可滿足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多種金屬和介質(zhì)膜基片上均勻沉積多層膜的需要。

該系統(tǒng)的主要功能是利用電子束蒸發(fā)技術(shù)在基片上沉積各種薄膜材料。

3.產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

限真空度高：能夠達(dá)到≤6.×10^-5 Pa，這有助于減少薄膜制備過(guò)程中的雜質(zhì)和氣體干擾，提高薄膜質(zhì)量。

電子槍功率可調(diào)范圍大：電子槍功率 0—10kW 可調(diào)，可以滿足不同材料蒸發(fā)和薄膜沉積的需求，適應(yīng)多種工藝條件。

配備水冷式坩堝：4 穴坩堝，每個(gè)容量不少于一定數(shù)值（具體容量可能因型號(hào)而有所不同），可容納多種材料同時(shí)蒸發(fā)。

樣品臺(tái)性能優(yōu)良：可容納較大尺寸的樣品，并且能夠加熱至較高溫度（具體溫度可能因型號(hào)而有所不同），轉(zhuǎn)速可在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，滿足不同實(shí)驗(yàn)需求。

具備精確的膜厚監(jiān)測(cè)儀：彩色 LCD 顯示屏，提供英文或中文版本，設(shè)有“quick setup"（快速設(shè)定）菜單、多個(gè)區(qū)分上下文按鈕以及簡(jiǎn)便的參數(shù)設(shè)定旋鈕，易于設(shè)定和操作，且測(cè)量速率和分辨率較高，存儲(chǔ)容量大，能夠使用單傳感器或多傳感器監(jiān)控源材料，提供精確的源分布監(jiān)控，有利于實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜沉積過(guò)程的精確控制和質(zhì)量監(jiān)測(cè)。

包含金屬蒸發(fā)源組件：可提供多套蒸發(fā)電源，大輸出功率滿足一定要求（如 1.8kW，電壓 6V，電流×A），有助于提高薄膜沉積的效率和穩(wěn)定性。

擁有較高的分子泵抽速：≥×l/s，能夠快速有效地抽取真空室內(nèi)的氣體，維持高真空環(huán)境。

其他方面：可能還具有良好的設(shè)備穩(wěn)定性、可靠性，以及完善的售后及質(zhì)保服務(wù)等。

4.產(chǎn)品參數(shù)：

真空室結(jié)構(gòu):U形開(kāi)門

真空室尺寸:900×900×1100mm

限真空度:≤6.0E-5Pa

沉積源:6個(gè)40cc坩堝

樣品尺寸，溫度:φ4英寸，26片，高300℃

占地面積（長(zhǎng)x寬x高）:約3.5米x3.9米x2.1米

電控描述:全自動(dòng)

工藝:片內(nèi)膜厚均勻性：≤±3%

特色參數(shù) :樣品尺寸及數(shù)量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根據(jù)用戶基片尺寸設(shè)計(jì)工件架