深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

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8英寸離子束沉積(IBD)設(shè)備

參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)Ganister™ A 系列

品牌魯汶

廠(chǎng)商性質(zhì)經(jīng)銷(xiāo)商

所在地徐州市

更新時(shí)間:2024-09-04 16:37:11瀏覽次數(shù):376次

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Ganister™ A離子束沉積設(shè)備,是針對(duì)低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開(kāi)發(fā)的專(zhuān)用產(chǎn)品,在硬盤(pán)磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應(yīng)用。該設(shè)備采用濺射成膜,靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉(zhuǎn)靶材基座,更可處理多達(dá)四種靶材。選配的輔助離子源,可以實(shí)現(xiàn)原位預(yù)清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外,Ganister™ A的輔助離子源也可進(jìn)行離子束刻蝕,一個(gè)腔室內(nèi)兼?zhèn)鋬煞N工藝,顯著提高

1. 產(chǎn)品概述

Ganister™ A離子束沉積設(shè)備,是針對(duì)低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開(kāi)發(fā)的專(zhuān)用產(chǎn)品,在硬盤(pán)磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應(yīng)用。該設(shè)備采用濺射成膜,靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉(zhuǎn)靶材基座,更可處理多達(dá)四種靶材。選配的輔助離子源,可以實(shí)現(xiàn)原位預(yù)清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外,Ganister™ A的輔助離子源也可進(jìn)行離子束刻蝕,一個(gè)腔室內(nèi)兼?zhèn)鋬煞N工藝,顯著提高了該設(shè)備的功能。

2. 系統(tǒng)特性

在低溫、超低壓工藝模式下,形成高致密優(yōu)質(zhì)膜層

雙離子源結(jié)構(gòu)(濺射+輔助離子源),輔助源用于清洗與輔助濺射

可高精度控制沉積過(guò)程,并能保障批次間的膜層重復(fù)性

實(shí)時(shí)光控設(shè)備,用來(lái)監(jiān)控、分析、調(diào)整膜層光譜

選配:可在一個(gè)腔室內(nèi)同時(shí)實(shí)現(xiàn)IBD和離子束刻蝕(IBE)功能

適用于8英寸晶圓



濺射系統(tǒng)

iTops PVD AlN 濺射系統(tǒng),采用托盤(pán)形式,可兼容 2/4/6

卷對(duì)卷薄膜濺射系統(tǒng)

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