1. 系統(tǒng)特性
Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設備是面向12英寸集成電路制造的量產型設備
設備由電感耦合等離子體刻蝕腔(ICP etch chamber)、去膠腔(strip chamber)、傳輸模塊(transfer module)構成
適用于0.18微米及其他技術代邏輯應用中的高密度鋁導線工藝,以及鋁墊刻蝕
2. 詳細介紹
Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設備,為針對12英寸IC產業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導線互連工藝所開發(fā)的用產品, 同時也可應用于鋁墊(Al pad)刻蝕。該設備承襲了 Chimera® A 的先進設計理念,具有出色的均勻性調控手段, 可以為客戶提供高性價比的解決方案