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當(dāng)前位置：深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司>>半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備>>5 刻蝕設(shè)備>> Herent® Chimera® M12英寸金屬刻蝕設(shè)備
| 參 考 價: | 面議 |
產(chǎn)品型號Herent® Chimera® M
品牌魯汶
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所在地徐州市
更新時間：2024-09-04 16:29:23瀏覽次數(shù)：244次
聯(lián)系我時，請告知來自 化工儀器網(wǎng)1. 系統(tǒng)特性
Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備是面向12英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備
設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch chamber）、去膠腔（strip chamber）、傳輸模塊（transfer module）構(gòu)成
適用于0.18微米及其他技術(shù)代邏輯應(yīng)用中的高密度鋁導(dǎo)線工藝，以及鋁墊刻蝕
2. 詳細(xì)介紹
Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備，為針對12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開發(fā)的用產(chǎn)品， 同時也可應(yīng)用于鋁墊（Al pad）刻蝕。該設(shè)備承襲了 Chimera® A 的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念，具有出色的均勻性調(diào)控手段， 可以為客戶提供高性價比的解決方案
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