電容耦合等離子體刻蝕(CCP)設(shè)備
1. 產(chǎn)品概述:
CCP腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應(yīng)離子刻蝕過程中,等離子體中會(huì)包含大量的活性粒子,與表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),生成可揮發(fā)產(chǎn)物后,隨真空抽氣系統(tǒng)排出。魯汶儀器的 Haasrode® Avior® A 在性價(jià)比和空間利用率上優(yōu)點(diǎn)突出,可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。
單腔室電容耦合等離子體(CCP)機(jī)適用于光刻膠殘膠去除(打底膜)、介質(zhì)刻蝕等工藝可用于6英寸及以下晶圓
2. 系統(tǒng)特性
單腔室電容耦合等離子體(CCP)機(jī)臺(tái)
適用于光刻膠殘膠去除(打底膜)、介質(zhì)刻蝕等工藝
可用于6英寸及以下晶圓