1 產(chǎn)品概述:
離子束刻蝕設(shè)備是一種高精度的材料加工設(shè)備，它利用經(jīng)過電場加速的高能離子束對樣品表面進(jìn)行物理轟擊，從而實(shí)現(xiàn)材料的精細(xì)刻蝕。這種設(shè)備廣泛應(yīng)用于物理學(xué)、工程與技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科、測繪科學(xué)技術(shù)、航空、航天科學(xué)技術(shù)等多個(gè)領(lǐng)域，成為現(xiàn)代微納米加工技術(shù)中的重要工具。
2 設(shè)備用途：
材料加工：離子束刻蝕設(shè)備可以對多種材料進(jìn)行精細(xì)加工，包括硅、石英、半導(dǎo)體、金屬、非金屬硬質(zhì)薄膜等。通過控制離子束的能量、束流密度和刻蝕時(shí)間等參數(shù)，可以精確控制刻蝕深度和形貌，實(shí)現(xiàn)微米甚至納米量級的加工精度。
微結(jié)構(gòu)制作：該設(shè)備具有制作微結(jié)構(gòu)圖形的能力，如光柵、微透鏡陣列等。在光學(xué)、電子學(xué)等領(lǐng)域中，這些微結(jié)構(gòu)對于提高器件性能具有關(guān)鍵作用。
樣品表面處理：離子束刻蝕還可以用于清洗材料表面有機(jī)物、氧化物等污染物，提升材料表面的親水性、粘接力和附著力。這對于提高樣品的質(zhì)量和分析精度具有重要意義。
3 設(shè)備特點(diǎn)
高精度：離子束刻蝕設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的材料加工和微結(jié)構(gòu)制作。通過精確控制離子束的參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)微米甚至納米量級的加工精度。
多材料適應(yīng)性：該設(shè)備可以處理多種材料，包括硅、石英、半導(dǎo)體、金屬、非金屬硬質(zhì)薄膜等。這種廣泛的材料適應(yīng)性使得離子束刻蝕設(shè)備在多個(gè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。
高靈活性：離子束刻蝕設(shè)備通常配備有先進(jìn)的控制系統(tǒng)和樣品臺，可以實(shí)現(xiàn)多種加工模式和工藝參數(shù)的靈活調(diào)整。這為用戶提供了更多的選擇和便利。
高穩(wěn)定性：設(shè)備在長時(shí)間運(yùn)行過程中能夠保持較高的穩(wěn)定性和可靠性。這有助于確保加工質(zhì)量和生產(chǎn)效率的穩(wěn)定。
4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn)：
離子槍 | ECR型離子槍 |
電離氣體 | Ar、Xe等、惰性離子種類的氣體 N2、O2、C3F8等、活性離子種類的氣體 |
加速電壓 | 300 ~ 2000 V 連續(xù)可變 |
離子流密度 | Ar: 0.16 ~ 0.20 mA/cm2 以上 (700V加速時(shí)） |
離子束有效直徑 | Φ 108 mm |
氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu) | 自動(dòng)流量制御6系統(tǒng) |
大試樣尺寸 | Φ 6英寸晶片 |
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