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等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號PlasmaPro 100 PECVD

品牌OXFORD/英國牛津

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地國外

更新時間:2024-09-06 10:10:40瀏覽次數(shù):207次

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設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的前提下,生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。
PlasmaPro 100 PECVD 由于電極溫度均勻性和電極中的噴淋頭設(shè)計(jì),可提供出色的保形沉積和低顆粒生成,允許射頻能量產(chǎn)生等離子體。等離子體的高能反應(yīng)性物質(zhì)提供高沉積速率,以達(dá)到所需的基板厚度,同時保持低壓。其雙頻 13.56MHz 和 100KHz 功率應(yīng)

1. 產(chǎn)品概述

設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的提下,生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。

PlasmaPro 100 PECVD 由于電溫度均勻性和電中的噴淋頭設(shè)計(jì),可提供出色的保形沉積和低顆粒生成,允許射頻能量產(chǎn)生等離子體。等離子體的高能反應(yīng)性物質(zhì)提供高沉積速率,以達(dá)到所需的基板厚度,同時保持低壓。其雙頻 13.56MHz 和 100KHz 功率應(yīng)用于上電,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)力控制和薄膜致密化.

高質(zhì)量的薄膜,高產(chǎn)量和出色的均勻性

電的適用溫度范圍寬

兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓

成本低且易于維護(hù)電阻絲加熱電,高溫度可達(dá)400°C或1200°C

實(shí)時監(jiān)測清洗工藝, 并且可自動停止工藝

2. 特點(diǎn)

將反應(yīng)物質(zhì)輸送到基材,通過腔室具有均勻的高電導(dǎo)路徑,允許使用高氣體流量,同時保持低壓射頻供電噴淋頭,具有優(yōu)化的氣體輸送功能,通過LF/RF開關(guān)提供均勻的等離子體處理,從而可以精確控制薄膜應(yīng)力高泵送能力,提供寬的工藝壓力窗口

通過均勻的高導(dǎo)通路徑連接的腔室,將反應(yīng)粒子輸送到襯底

在維持低氣壓的同時,允許使用較高的氣體通量

高度可變的下電

充分利用等離子體的三維特性,在優(yōu)秀的高度條件下,襯底厚度大可達(dá)10mm

電的溫度范圍寬(-150°C至+ 400°C),可通過液氮,液體循環(huán)制冷機(jī)或電阻絲加熱

可選的吹排及液體更換單元可自動進(jìn)行模式切換

由再循環(huán)制冷機(jī)單元供給的液體控溫的電

出色的襯底溫度控制

射頻功率加載在噴頭上,同時優(yōu)化氣體輸送

提供具有低頻/射頻切換功能的均勻的等離子體工藝,可精確控制薄膜應(yīng)力

ICP源尺寸為65mm,180mm,300mm

確保200mm晶圓的工藝均勻性

高抽氣能力

提供了更寬的工藝氣壓窗口

晶壓盤與背氦制冷

更好的晶片溫度控制

3. 應(yīng)用范圍:

高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅 和 二氧化硅 用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途

用于高亮度LED 生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕





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