1.產(chǎn)品概述：

高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)主要由濺射真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、抗氧化基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。

2.設(shè)備用途：

高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)用于制備超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所進(jìn)行薄膜材料的科研。

3.產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：

可對(duì)化學(xué)成分復(fù)雜的復(fù)合物材料進(jìn)行全等同鍍膜，易于保證鍍膜后化學(xué)計(jì)量比的穩(wěn)定。

反應(yīng)迅速，生長(zhǎng)快，通常一小時(shí)可獲得一定厚度的薄膜。

定向性強(qiáng)、薄膜分辨率高，能實(shí)現(xiàn)微區(qū)沉積。

生長(zhǎng)過(guò)程中可原位引入多種氣體，對(duì)提高薄膜質(zhì)量有重要意義。

容易制備多層膜和異質(zhì)膜，通過(guò)簡(jiǎn)單的換靶即可實(shí)現(xiàn)

4.真空室結(jié)構(gòu):

球形結(jié)構(gòu)

真空室尺寸:Ф300mm

限真空度:≤6.67E-5Pa

沉積源:Φ30mm,每次可裝4塊靶材，可實(shí)現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶位；每塊靶材可自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5～60轉(zhuǎn)/分；

樣品尺寸，溫度:1英寸，高800℃

占地面積（長(zhǎng)x寬x高）:約1.8米x0.97米x1.9米

電控描述:全自動(dòng)

工藝:片內(nèi)膜厚均勻性：≤±5%