1. 產(chǎn)品概述：

英思特晶片清洗機是用于晶片清洗的專業(yè)設備，旨在去除晶片表面的各類雜質(zhì)，如顆粒、有機物、金屬離子等，以滿足半導體制造等領域?qū)邼崈舳鹊膰栏褚蟆ＫǔＳ稍O備主體、清洗槽（可能有多種不同功能的清洗槽，如化學清洗槽、純水沖洗槽等）、漂洗槽、干燥系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)等多個部分構成，通過一系列精心設計的清洗工藝步驟，實現(xiàn)對晶片的高效清潔。

2. 設備應用：

· 半導體制造：半導體芯片生產(chǎn)過程中，晶片清洗是關鍵環(huán)節(jié)。該清洗機廣泛應用于半導體晶圓制造，如在光刻、刻蝕、鍍膜等工藝前，對晶圓進行清洗，確保晶圓表面潔凈度，提升芯片性能、良率和可靠性，例如去除晶圓表面微小顆粒和金屬雜質(zhì)，防止其在后續(xù)工藝中導致芯片缺陷或性能下降 145。

· 光伏產(chǎn)業(yè)：用于光伏電池生產(chǎn)中硅片的清洗，通過有效清洗硅片表面污染物，提高硅片光電轉(zhuǎn)換效率，保障太陽能電池的性能和質(zhì)量

3. 設備特點：

1、設備主體、電氣控制部分、化學工藝槽等；并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。

2、設備主體使用德國進口瓷白10mm PP板材，堅固耐用，雙層防漏，SUS304+阻燃PVC德國進口板（不銹鋼板）組合而成，防止外殼銹蝕。

3、設備安裝左右對開透明PVC門，分隔與保護人員安全，邊緣處設備密封條，安全門進風處裝有過濾網(wǎng)；模組化設計，腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成，杜絕機臺的滲漏危險。

4、位于設備下部，所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標簽注明；藥液管路采用PFA管，純水管路采用PFA管，化學腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過用管道排放。

5、電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在設備后部單獨電器控制柜，電氣元件有充分的防護以免酸霧腐蝕以保障設備性能運行穩(wěn)定可靠；所有可能與酸霧接觸的電氣及線路均PFA防腐隔絕處理，電氣柜CDA/N2充氣保護其中的電器控制元件。

6、機臺部配備有PP純水槍和PP氮各二只分置于兩側，水槍滴漏活水設計，方便操作員手工清洗槽體或工件。

4. 產(chǎn)品參數(shù)（以部分為例）：

以下參數(shù)僅供參考，實際參數(shù)可能因定制化需求和設備型號而有所不同。

· 清洗槽數(shù)量和類型：例如有多個不同功能清洗槽，如化學清洗槽、純水沖洗槽等，數(shù)量可能為 3 - 5 個或更多。

· 適用晶片尺寸：如 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸等，或可兼容多種尺寸。

· 溫度控制范圍：根據(jù)不同清洗工藝要求，溫度控制范圍可能在一定區(qū)間內(nèi)可調(diào)，如 30 - 150℃。

· 清洗時間：每個清洗步驟的時間可根據(jù)工藝設定，例如 1 - 30 分鐘不等。

· 溶液循環(huán)系統(tǒng)：具備高效的溶液循環(huán)和過濾系統(tǒng)，以保證清洗溶液的清潔度和有效性。

· 設備外形尺寸：如長度 2 - 5 米、寬度 1 - 2 米、高度 1.5 - 2.5 米。

· 電源要求：通常為三相交流電，如電壓 380V，頻率 50Hz，整機額定電功率根據(jù)設備配置而定，可能在 10 - 50kW 之間。

· 其他參數(shù)：還可能包括純水流量、壓縮空氣壓力和流量、排廢管道尺寸等相關參數(shù)。