它實現(xiàn)高大量生產(chǎn)性的高真空基本Sputter - 可以生產(chǎn)1Batch/900EA以上的產(chǎn)品，以沉積及Sputter工序的*化，提升EMI莫品質(zhì) - 證明“沉積-Sputter-沉積-Sputter"的工序連接的優(yōu)秀性（Zero Defects化），因精密的機器設置及優(yōu)秀的設備耐用性保持，維護周期長，價格便宜。與現(xiàn)有材料相比，自行開發(fā)的材料(Target)以相對較低的成本提高了薄膜質(zhì)量 - Target效率及Arching等的控制功能改善

部件鍍膜設備，特別是采用高真空濺射（Sputtering）技術(shù)的設備，在實現(xiàn)大規(guī)模、高效率的生產(chǎn)方面扮演著關(guān)鍵角色。這種設備通過優(yōu)化沉積和濺射工序，不僅提高了生產(chǎn)效率，還顯著提升了產(chǎn)品的EMI（電磁干擾）屏蔽質(zhì)量。以下是對您描述的設備特性和優(yōu)勢的詳細解析：

1. 高真空基礎與高效率生產(chǎn)：

• 設備建立在高真空環(huán)境下工作，這是保證薄膜質(zhì)量和工藝穩(wěn)定性的基礎。高真空減少了氣體分子對鍍膜過程的干擾，使得薄膜更加均勻、致密。

• 能夠?qū)崿F(xiàn)1 Batch/900EA以上的生產(chǎn)能力，這表明設備具有生產(chǎn)效率和吞吐量，適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)需求。

2. 沉積與濺射工序的優(yōu)化：

• 通過“沉積-Sputter-沉積-Sputter"的工序連接，設備實現(xiàn)了對薄膜結(jié)構(gòu)的精細控制。這種多層結(jié)構(gòu)的設計有助于提高EMI屏蔽效果，同時減少缺陷，實現(xiàn)“Zero Defects"的目標。

• 工序的優(yōu)化還體現(xiàn)在對沉積速率、濺射能量等參數(shù)的精確控制上，確保了薄膜質(zhì)量的穩(wěn)定性和一致性。

3. 精密的機器設置與優(yōu)秀的耐用性：

• 設備采用精密的機械設計和制造，確保了各部件之間的精確配合和穩(wěn)定運行。這不僅提高了設備的加工精度，還延長了設備的使用壽命。

• 優(yōu)秀的耐用性使得設備的維護周期更長，降低了維護成本和停機時間，提高了整體的生產(chǎn)效率。

4. 自行開發(fā)的材料（Target）：

• 與現(xiàn)有材料相比，自行開發(fā)的Target材料以相對較低的成本提高了薄膜質(zhì)量。這得益于對材料成分、結(jié)構(gòu)和性能的深入研究，以及對濺射過程的精確控制。

• Target效率的提高意味著在相同時間內(nèi)可以沉積更多的薄膜材料，從而提高了生產(chǎn)效率。同時，對Arching等不良現(xiàn)象的控制功能也得到了改善，進一步保證了薄膜的質(zhì)量和穩(wěn)定性。

5. 價格優(yōu)勢：

• 盡管設備在性能上達到了很高的水平，但其價格卻相對較為合理。這得益于技術(shù)的不斷進步和生產(chǎn)成本的降低，使得更多的企業(yè)和研究機構(gòu)能夠承擔得起這樣的設備投資。

綜上所述，這種部件鍍膜設備以其高效的生產(chǎn)能力、優(yōu)化的工序設計、精密的機器設置、優(yōu)秀的耐用性以及自行開發(fā)的低成本高質(zhì)量材料等優(yōu)勢，在半導體、電子、航空航天等領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。