等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200 返回列表頁(yè)

主要基于等離子體的產(chǎn)生和應(yīng)用，其詳細(xì)原理可以歸納如下：### 一、等離子體產(chǎn)生* **氣體引入與電離**：在Etchlab 200等離子蝕刻機(jī)中，首先會(huì)向真空室內(nèi)引入適量的氣體（如氧氣、氟氣等），這些氣體在高頻電場(chǎng)的作用下被電離，形成等離子體。等離子體是由部分離化的中性氣體組成，其中包含離子、電子、原子和活性基團(tuán)等“活性"組分。* **加速過(guò)程**：產(chǎn)生的等離子體隨后被加速器加速，使其具有足夠的能量來(lái)撞擊材料表面。### 二、刻蝕過(guò)程* **物理刻蝕**：加速后的等離子體以高速撞擊材料表面，通過(guò)物理碰撞將表面的原子或分子擊出，這個(gè)過(guò)程稱為物理刻蝕。* **化學(xué)刻蝕**：同時(shí)，等離子體中的活性組分（如離子、自由基等）與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)一步促進(jìn)刻蝕過(guò)程。這些化學(xué)反應(yīng)可能包括氧化、還原、置換等，具體取決于所使用的氣體種類和材料性質(zhì)。### 三、刻蝕產(chǎn)物移除* 刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生的產(chǎn)物會(huì)附著在材料表面，為了保持刻蝕的連續(xù)性和精度，需要將這些產(chǎn)物及時(shí)移除。Etchlab 200等離子蝕刻機(jī)通過(guò)引入適量的氣體（如惰性氣體）與刻蝕產(chǎn)物反應(yīng)，形成易揮發(fā)的化合物，從而將刻蝕產(chǎn)物帶走。### 四、控制系統(tǒng)* Etchlab 200等離子蝕刻機(jī)配備了先進(jìn)的控制系統(tǒng)，可以調(diào)整等離子體的能量、氣體流量等參數(shù)，以精確控制刻蝕過(guò)程的速率和精度。此外，該系統(tǒng)還具備模擬圖形用戶界面、參數(shù)窗口、工藝編輯窗口等功能，方便用戶進(jìn)行工藝設(shè)置和監(jiān)控。### 五、應(yīng)用特點(diǎn)* **高精度**：由于等離子體的高能量和精確控制，Etchlab 200能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)制造和加工