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原子層蝕刻設(shè)備返回列表頁(yè)

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更新時(shí)間：2024-10-10 10:17:03瀏覽次數(shù)：206次

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產(chǎn)地類別	進(jìn)口	應(yīng)用領(lǐng)域	化工,農(nóng)業(yè),石油,地礦,能源

原子層蝕刻設(shè)備介紹：

原子層蝕刻設(shè)備ALE）是一種的蝕刻技術(shù)，可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小，需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。

這就引起了人們對(duì)被稱為原子級(jí)蝕刻（ALE）的技術(shù)的關(guān)注，該技術(shù)克服了原子級(jí)常規(guī)蝕刻的局限性。基於電漿的原子層蝕刻是氣體以定量注入和離子轟擊的周期性蝕刻過(guò)程，並具有去除單個(gè)薄膜層、極低的損壞率等優(yōu)點(diǎn)。

SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與電漿製程，並提供高精準(zhǔn)度的薄膜蝕刻。

原子層蝕刻設(shè)備

原子層蝕刻設(shè)備參數(shù)：

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
矽化合物蝕刻SiO2、SiN4)。微機(jī)電系統(tǒng)。金屬、矽與光阻蝕刻。	陽(yáng)極電鍍處理鋁腔。通過(guò)使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來(lái)控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)12吋。蝕刻系統(tǒng)中，ICP、RIE、ALE與DRIE可在同一腔內(nèi)。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。具有高均勻氣體分佈的質(zhì)量流量控制器。穩(wěn)定的溫度控制，將載臺(tái)加熱至200°C或冷卻至-20°C。使用Tornado ICP線圈，ICP電漿高達(dá)2000W，可增強(qiáng)低溫下的沉積。由於使用低能量進(jìn)行蝕刻，其損傷率也是較低的。基板具有氦氣冷卻之功能，均勻的控制溫度。均勻的氣體擴(kuò)散，具有優(yōu)化的氣體分佈。	靜電吸盤。蝕刻終點(diǎn)偵測(cè)（OES，激光）相容性。可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。