快速退火爐 返回列表頁

真空快速退火爐AS-OneAS-One是一種通用的RTP系統(tǒng)，可用于開發(fā)快速熱退火和快速熱CVD工藝?？梢源钆浞肿颖脤?shí)現(xiàn)高真空下熱處理工藝。最高溫度1500 ℃，最快升溫速率200℃/Second。

AS-One是一種通用的RTP系統(tǒng)，可用于開發(fā)快速熱退火和快速熱CVD工藝。

可以搭配分子泵實(shí)現(xiàn)高真空下熱處理工藝。

最高溫度1500℃，升溫速率200℃/Second。

全程PC軟件控制升溫程序，保證溫度不過沖，控溫精度準(zhǔn)確。

快速退火爐應(yīng)用：

RTA（快速熱退火）

RTO（快速熱氧化）

歐姆接觸退火

植入退火

石墨烯和hBN的快速熱化學(xué)氣相沉積RTCVD

硒化，硫化

結(jié)晶和致密化

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、紅外鹵素?zé)艄芗訜?，冷卻采用風(fēng)冷（低噪音水平，無需壓縮空氣）

2、加熱由功率控制而非電壓控制，避免了由于燈絲老化電阻改變導(dǎo)致的后續(xù)使用中加熱不均的問題，保證了良好的重現(xiàn)性及均溫性，即使在后續(xù)使用過程中更換了部分新的燈管也可以達(dá)到最初的熱處理效果

3、石英腔體，腔體冷卻采用水冷，冷壁設(shè)計(jì)，雙層不銹鋼

冷壁水冷技術(shù)優(yōu)點(diǎn)在于：

1、無記憶

2、工藝重復(fù)性高

3、冷卻速度快

4、反應(yīng)腔室的設(shè)計(jì)，氣體的進(jìn)入口設(shè)計(jì)在wafer的表面，避免在退火過程中冷點(diǎn)的產(chǎn)生。很好的保證了樣品在加熱過程中的均溫性

5、快速數(shù)字PID控溫

6、熱電偶配合高溫計(jì)控溫，測試樣品的溫度

7、大氣和真空工藝均適合，凈化氣體配針閥

8、最多5路工藝氣體，配數(shù)字質(zhì)量流量控制器

9、電腦通過以太網(wǎng)連接更快的數(shù)據(jù)傳輸速度

10、可選配石墨托盤表面涂SiC薄膜設(shè)計(jì)，用于小樣品測試

11、可選配分子泵，用于高真空測試

產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)配置及規(guī)格參數(shù)：

1、樣品尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；

2、溫度范圍：

AS-One100室溫~1250 ℃；（室溫~1500 ℃可選）

AS-One150室溫~1200 ℃；（室溫~1300 ℃可選）

3、升溫速率：

AS-One100 ：0.1 ℃~250℃/s ；

AS-One150 ：0.1 ℃~200℃/s ；

4、溫度控制：快速數(shù)字PID控制；

5、熱電偶：2個(gè)K型熱電偶；

6、低溫高溫計(jì)溫度范圍：150℃~1100℃；

7、高溫高溫計(jì)溫度范圍：400℃~1500℃；

8、工藝氣體氣路配質(zhì)量流量計(jì)；

9、配置真空泵及真空規(guī)。