低壓化學氣相沉積系統(tǒng)LPCVD 返回列表頁

1 產(chǎn)品概述:

     低壓化學氣相沉積系統(tǒng)（LPCVD）是一種在低壓條件下，通過加熱使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并沉積形成穩(wěn)定固體薄膜的技術(shù)。該系統(tǒng)在半導體制造、電力電子、光電子及MEMS等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。LPCVD系統(tǒng)通過精確控制溫度、壓力及氣體流量等參數(shù)，能夠在基片表面形成均勻性良好的薄膜，滿足各種工藝需求。

2 設(shè)備用途：

LPCVD系統(tǒng)的主要用途包括：

1. 薄膜沉積：用于淀積多種薄膜材料，如Poly-Si（多晶硅）、Si3N4（氮化硅）、SiO2（二氧化硅）、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等。這些薄膜在半導體器件、電力電子器件、光電子器件及MEMS結(jié)構(gòu)中起著關(guān)鍵作用。

2. 半導體制造：在半導體集成電路制造過程中，LPCVD系統(tǒng)用于形成柵極氧化物、表面鈍化層、氮化物應(yīng)力緩沖層、犧牲氧化物層及阻擋氧化物層等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。

3. 光電子應(yīng)用：在光電子領(lǐng)域，LPCVD系統(tǒng)用于制備光波導、可變折射率層、抗反射層等光學薄膜，提升器件性能。

3 設(shè)備特點

LPCVD系統(tǒng)具有以下特點：

1. 低壓環(huán)境：在低壓條件下進行沉積，有助于減少氣體分子的碰撞和散射，提高薄膜的均勻性和質(zhì)量。

2. 高精度控制：系統(tǒng)采用先進的溫度、壓力及氣體流量控制技術(shù)，能夠精確控制沉積過程中的各項參數(shù)，確保薄膜的精確性和一致性。

3. 多用途性：能夠沉積多種薄膜材料，滿足不同工藝需求，具有廣泛的適用性。

4. 高效性：由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴散系數(shù)大，可采用密集裝片方式提高生產(chǎn)率。

4 技術(shù)參數(shù)和特點：

1. 滿足石墨烯和碳納米管研究的高溫和快速冷卻要求

2. 直徑200毫米的石英室

3. 內(nèi)部石英管的設(shè)計便于拆卸和清洗

4. 基片尺寸可達直徑150毫米

5. 三區(qū)電阻爐，150毫米的均勻溫度區(qū)

6. 溫度高可達1000°C

7. 使用節(jié)流型VAT蝶形閥下游壓力控制在50 mTorr到500 mTorr之間

8. 8立方英尺/分的Ebara ESA25-D干式真空泵 - 兩干式真空