高真空磁控濺射鍍膜技術(shù) *地震資訊

真空鍍膜技術(shù)作為一種產(chǎn)生特膜層的技術(shù)，在現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)生活中有著廣泛的應(yīng)用。真空鍍膜技術(shù)有三種形式：即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍膜。在這里主要講下磁控濺射鍍膜。

磁控濺射技術(shù)在市場(chǎng)中應(yīng)用非常的廣泛，各行各業(yè)物件膜層鍍膜，大多數(shù)都是采用磁控濺射技術(shù)，磁控濺射技術(shù)在真空行業(yè)也是非常的受歡迎和追捧。高真空磁控濺射鍍膜是屬于物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種，一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種材料；適應(yīng)用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜；且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

磁控濺射技術(shù)目前得以廣泛的應(yīng)用 ，是由該技術(shù)有別于其它鍍膜方法特點(diǎn)所決定的。其特點(diǎn)可歸納為：

靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理

-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導(dǎo)致離化電場(chǎng)的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場(chǎng)分壓增大），導(dǎo)致鍍膜效果不好；電阻增大導(dǎo)致靶材發(fā)熱升溫，降低鍍膜質(zhì)量。

-靶材和靶面接觸不良，導(dǎo)致水冷效果不好，降低鍍膜質(zhì)量。

-增加一層特殊導(dǎo)電導(dǎo)熱的軟薄的物質(zhì)，保證面接觸。

距離可調(diào)整

基片和靶材之間的距離可調(diào)整，以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。

角度可調(diào)

磁控濺射靶頭可調(diào)角度，以便針對(duì)不同尺寸基片的均勻性，做精準(zhǔn)調(diào)控。

集成一體化柜式結(jié)構(gòu)

一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)：

安全性好（操作者不會(huì)觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件）

占地面積小，尺寸約為：長(zhǎng)1100mm×寬780mm（標(biāo)準(zhǔn)辦公室門(mén)是800mm寬）（傳統(tǒng)設(shè)備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場(chǎng)地，可以放兩臺(tái)設(shè)備。

控制系統(tǒng)

采用計(jì)算機(jī)＋PLC兩級(jí)控制系統(tǒng)

安全性

-電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)

-設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能

-溫度檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測(cè)和流量

-檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

勻氣技術(shù)

工藝氣體采用勻氣技術(shù)，氣場(chǎng)更均勻，鍍膜更均勻。

基片加熱技術(shù)

采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi)，所以高溫加熱過(guò)程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì)，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對(duì)基片加熱。

生產(chǎn)型磁控濺射與離子束鍍膜機(jī)

生產(chǎn)型磁控濺射與離子束多弧度鍍膜機(jī)

真空度更高、抽速更快

真空室內(nèi)外，全部電化學(xué)拋光，*去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見(jiàn)），沒(méi)有微觀藏污納垢的地方，腔體內(nèi)表面積減少一倍以上，鍍膜更純凈，真空度更高，抽速更快。

綜上所述便是磁控濺射關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)。

設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能

1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進(jìn)樣室、鍍膜室+手套箱

2、磁控濺射靶數(shù)量及類(lèi)型：1 ～ 6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容

5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱

6、通入反應(yīng)氣體，可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜7、操作方式：手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)

工作條件

供電 ～ 380V 三相五線(xiàn)制

功率 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置

冷卻水循環(huán) 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置

水壓 1.5 ～ 2.5×10^5Pa

制冷量 根據(jù)扇熱量配置

水溫 18～25℃

氣動(dòng)部件供氣壓力 0.5～0.7MPa

質(zhì)量流量控制器供氣壓力 0.05～0.2MPa

工作環(huán)境溫度 10℃～40℃

工作濕度 ≤50%

設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

-基片托架：根據(jù)供件大小配置。

-基片加熱器溫度：根據(jù)用戶(hù)供應(yīng)要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調(diào)。

-基片架公轉(zhuǎn)速度 ：2 ～100 轉(zhuǎn) / 分鐘，可控可調(diào)；基片自轉(zhuǎn)速度：2 ～20 轉(zhuǎn) / 分鐘。

-基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。

-靶面到基片距離： 30 ～ 140mm 可調(diào)。

-Φ2 ～Φ3 英寸平面圓形靶 2 ～ 3 支，配氣動(dòng)靶控板，靶可擺頭調(diào)角度。

-鍍膜室的極限真空：6X10-5Pa，恢復(fù)工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分鐘左右（新設(shè)備充干燥氮?dú)猓?/span>

-設(shè)備總體漏放率：關(guān)機(jī) 12 小時(shí)真空度≤10Pa。