Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 應(yīng)用于硬盤(pán) GMR 磁頭

來(lái)源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 2023年02月08日 10:41

硬盤(pán)磁頭, 是硬盤(pán)讀取數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件, 磁頭的好壞在很大程度上決定著硬盤(pán)盤(pán)片的存儲(chǔ)密度.

GMR 磁頭的使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu), 這比以前的傳統(tǒng)磁頭和MR（Magneto Resisive）磁阻磁頭更為敏感, 相對(duì)的磁場(chǎng)變化能引起來(lái)大的電阻值變化, 從而實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度.

某硬盤(pán)磁頭制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 應(yīng)用于硬盤(pán)磁頭鍍制GMR磁頭導(dǎo)電材料和磁性材料薄膜構(gòu).

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 技術(shù)參數(shù)

Φ4 inch X 12片	基片尺寸	Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片
	均勻性	±5%
	硅片刻蝕率	20 nm/min
	樣品臺(tái)	直接冷卻,水冷
	離子源	Φ20cm 考夫曼離子源

Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):

離子源型號(hào)	RFICP 220
Discharge	RFICP 射頻
離子束流	>800 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	20 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	30 cm
直徑	41 cm
中和器	LFN 2000

* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量

Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 的樣品臺(tái)可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實(shí)現(xiàn) GMR 磁頭均勻地接受離子的轟擊, 進(jìn)而實(shí)現(xiàn)提高 GMR 磁頭的加工質(zhì)量.

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