多功能磁控濺射鍍膜機技術方案

多功能磁控濺射鍍膜機（高真空磁控濺射儀）是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質復合膜及其它化學反應膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。

多功能磁控濺射鍍膜機-設備關鍵技術特點

秉承設備為工藝實現(xiàn)提供實現(xiàn)手段的理念，我們做了如下設計和工程實現(xiàn)，實際運行效果良好，為用戶的專用工藝實現(xiàn)提供了精準的工藝設備方案。

靶材背面和濺射靶表面的結合處理

-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導致鍍膜效果不好；電阻增大導致靶材發(fā)熱升溫，降低鍍膜質量。

-靶材和靶面接觸不良，導致水冷效果不好，降低鍍膜質量。

-增加一層特殊導電導熱的軟薄的物質，保證面接觸。

距離可調整

基片和靶材之間的距離可調整，以適應不同靶材的成膜工藝的距離要求。

角度可調

磁控濺射靶頭可調角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做精準調控。

集成一體化柜式結構

一體化柜式結構優(yōu)點：

安全性好（操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉部件）

占地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標準辦公室門是800mm寬）（傳統(tǒng)設備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場地，可以放兩臺設備。

控制系統(tǒng)

采用計算機＋PLC兩級控制系統(tǒng)

安全性

-電力系統(tǒng)的檢測與保護

-設置真空檢測與報警保護功能

-溫度檢測與報警保護

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量

-檢測與報警保護

勻氣技術

工藝氣體采用勻氣技術，氣場更均勻，鍍膜更均勻。

基片加熱技術

采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內，所以高溫加熱過程中不釋放雜質物質，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對基片加熱。

真空度更高、抽速更快

真空室內外，全部電化學拋光，*去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內表面積減少一倍以上，鍍膜更純凈，真空度更高，抽速更快。

設備詳情

設備結構及性能

1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進樣室、鍍膜室+手套箱

2、磁控濺射靶數(shù)量及類型：1 ～ 6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側向安裝

3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側向安裝

4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容

5、基片可旋轉、可加熱

6、通入反應氣體，可進行反應濺射鍍膜7、操作方式：手動、半自動、全自動

工作條件

設備主要技術指標

-基片托架：根據(jù)供件大小配置。

-基片加熱器溫度：根據(jù)用戶供應要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調。

-基片架公轉速度 ：2 ～100 轉 / 分鐘，可控可調；基片自轉速度：2 ～20 轉 / 分鐘。

-基片架可加熱、可旋轉、可升降。

-靶面到基片距離： 30 ～ 140mm 可調。

-Φ2 ～Φ3 英寸平面圓形靶 2 ～ 3 支，配氣動靶控板，靶可擺頭調角度。

-鍍膜室的極限真空：6X10^-5Pa，恢復工作背景真空 7X10^-4Pa ，30 分鐘左右（新設備充干燥氮氣）。

-設備總體漏放率：關機 12 小時真空度≤10Pa。

關于我們

鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導體），由哈爾濱工業(yè)大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術沿與市場沿的交叉點，尋求創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展，解決產業(yè)的痛點和國產化難題，爭取產業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務是微納技術與精密制造，具體應用域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發(fā)設計和生產制造。

公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業(yè)界的高裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學（深圳），具備先/進的半導體研發(fā)設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體裝備的研發(fā)、生產、調試以及半導體材料與器件的中試、生產、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導體設備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機，激光沉積設備PLD

|化學氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設備ALD

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|成套設備

團簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設備、合金退火爐、硬質涂層設備、磁性薄膜設備、電制備設備

|真空鍍膜機用電源/真空鍍膜機控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調脈寬）

控制系統(tǒng)及軟件

團隊部分業(yè)績分布
自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關鍵部件。真空度達到8.0×10^-9Pa。

設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至仍在正常使用。

設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術聯(lián)合系統(tǒng)，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產設備?，F(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。

設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位國家光電實驗室。

設計制造了OLED有機半導體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備?，F(xiàn)使用單位香港城市大學先/進/材料實驗室。

設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現(xiàn)LED無機半導體發(fā)光材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心。

設計制造了磁控濺射研究型設備?，F(xiàn)使用單位浙江大學半導體所。

設計制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設備?，F(xiàn)使用單位武漢理工大學。

1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7