分子束外延系統(tǒng)（MBE）解決方案【臺風(fēng)資訊】

分子束外延系統(tǒng)（MBE）可以在某些襯底上實(shí)現(xiàn)外延生長工藝，實(shí)現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等?？梢赃M(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長制造。

該系統(tǒng)在薄膜外延生長時(shí)具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時(shí)的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。

我公司設(shè)計(jì)制造的分子束外延薄膜生長實(shí)驗(yàn)設(shè)備，分實(shí)驗(yàn)型和生產(chǎn)型兩種 ，配置合理，結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，技術(shù)*，性能可靠，用途多，實(shí)用性強(qiáng)，價(jià)格相對較低，可供各大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室及科研機(jī)構(gòu)作為分子束外延方面的教學(xué)實(shí)驗(yàn)、科學(xué)研究及工藝實(shí)驗(yàn)之用。生產(chǎn)型MBE可用于批量外延片的制備。

功能特點(diǎn)

本項(xiàng)目于2005年在國內(nèi)完成了成套MBE的全國產(chǎn)化研發(fā)設(shè)計(jì)和制造，做到自主可控。自主設(shè)計(jì)MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、RHEED原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀、直線型電子槍、高溫束源爐、束源爐電源、高溫樣品臺、膜厚儀（可計(jì)量外延生長的分子層數(shù)）等核心部件。

可實(shí)現(xiàn)第二代半導(dǎo)體（如砷化鎵等）和第三代半導(dǎo)體（如碳化硅和氮化鎵）的外延生長。

分子束外延系統(tǒng)（MBE）組成與主要技術(shù)指標(biāo)

設(shè)備的組成

進(jìn)樣室

該室用于樣品的進(jìn)出倉，并配置有多樣片儲存功能。樣品庫可放六片基片。

預(yù)處理室

該室用于樣品在進(jìn)入外延室之前進(jìn)行真空等離子剝離式清洗和真空高溫除氣，及其他前期工藝處理。還用于對外延后的樣片進(jìn)行后工藝處理，如高溫退火等等。

外延室

超高真空潔凈真空室，實(shí)現(xiàn)分子束外延工藝。

主要技術(shù)指標(biāo)

進(jìn)樣室

極限真空：5.0×10∧-5Pa

樣品裝載數(shù)量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，帶樣品載具）

預(yù)處理室

極限真空：5×10∧-7Pa

樣品臺加熱溫度：室溫～ 850℃±1℃（PID 控制）

離子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV

外延室

*工藝室部分部件根據(jù)客戶需求不同，所配置不同。

實(shí)驗(yàn)型分子束外延（MBE）

設(shè)備組件

超高真空直線型電子槍

自主研發(fā)直線型電子槍，滿足超高真空和束源爐法蘭接口及安裝尺寸的要求；可用于高溫難融材料的加熱蒸發(fā)。

超高真空直線型電子槍

高能衍射槍及電源

束斑0.6mm，高壓25kV。

光斑在熒光屏上可衍射圖像經(jīng)CCD 相機(jī)采集后由計(jì)算機(jī)進(jìn)行圖像處理。

生產(chǎn)型分子 束外延（MBE）

分子束外延系統(tǒng)（MBE）

工藝實(shí)現(xiàn)

使用鵬城半導(dǎo)體自主研發(fā)的分子束外延設(shè)備生長的Bi2-xSbxTe3。

關(guān)于我們

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導(dǎo)體），由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)沿與市場沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與精密制造，具體應(yīng)用域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。

公司人才團(tuán)隊(duì)知識結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)；還有來自工業(yè)界的高裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備先/進(jìn)的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺，可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導(dǎo)體設(shè)備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)，激光沉積設(shè)備PLD

|化學(xué)氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設(shè)備ALD

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|成套設(shè)備

團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設(shè)備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設(shè)備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電制備設(shè)備

|真空鍍膜機(jī)用電源/真空鍍膜機(jī)控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調(diào)脈寬）

控制系統(tǒng)及軟件

團(tuán)隊(duì)部分業(yè)績分布
自主設(shè)計(jì)制造的分子束外延（MBE）設(shè)備，包括自主設(shè)計(jì)制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計(jì)量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達(dá)到8.0×10^-9Pa。

設(shè)備于2005年在浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室投入使用，至仍在正常使用。

設(shè)計(jì)制造磁控濺射與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng)，應(yīng)用于團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備設(shè)備，應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設(shè)備?，F(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。

設(shè)計(jì)制造了全自動磁控濺射設(shè)備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設(shè)計(jì)的真空機(jī)械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位國家光電實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了OLED有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備?，F(xiàn)使用單位香港城市大學(xué)先/進(jìn)/材料實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實(shí)現(xiàn)LED無機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心。

設(shè)計(jì)制造了磁控濺射研究型設(shè)備?，F(xiàn)使用單位浙江大學(xué)半導(dǎo)體所。

設(shè)計(jì)制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設(shè)備?，F(xiàn)使用單位武漢理工大學(xué)。

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