PCVD工藝的具體流程

來源：上海添時科學(xué)儀器有限公司 2024年09月26日 09:54

PECVD等離子體增強化學(xué)氣相沉積是一種利用等離子體來促進氣體反應(yīng)的CVD技術(shù)。其特點包括：

1、低溫沉積：PECVD可以在較低的基材溫度下進行，因為等離子體提供的能量能夠促進氣體反應(yīng)，降低沉積溫度的需求。

2、高沉積速率：等離子體增強了氣體反應(yīng)速率，從而提高了薄膜沉積速率。

3、良好的膜質(zhì)量：PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度，適用于需要高質(zhì)量薄膜的應(yīng)用。

4、適應(yīng)性強：可以沉積多種材料，包括氧化物、氮化物和氟化物等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件和保護涂層等領(lǐng)域。

5、控制性好：通過調(diào)整等離子體的參數(shù)（如功率、氣體流量和壓力），可以精確控制薄膜的成分和性質(zhì)。

PCVD工藝的流程：

(1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進高純度石英玻璃沉積管內(nèi)的氣態(tài)鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設(shè)計要求的光纖芯中玻璃的組成成分。

(2)熔縮。沿管子方向往返移動的石墨電阻爐對小斷旋轉(zhuǎn)的管子加熱到大約2200℃，在表面張力的作用下，分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實心棒(預(yù)制棒)。

(3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當(dāng)比例，將熔縮后的石英棒套入一根截面積經(jīng)過精心挑選的管子中，這樣裝配后即可進行拉絲。

(4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的頂部，下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中，此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm)，并進行雙層涂覆和紫外固化。

(5)光纖測試。拉出的光纖要經(jīng)過各種試，以確定光纖的幾何、光學(xué)和機械性能。

相關(guān)產(chǎn)品

凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

聯(lián)系我們