光刻技術(shù)中的聚焦控制

光刻技術(shù)中的聚焦控制

一、引言

光刻技術(shù)在集成電路量產(chǎn)制造中有著重要作用，隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)光刻機(jī)性能的要求也越來(lái)越高。

為了保證曝光質(zhì)量，在光刻機(jī)曝光過(guò)程中必須使硅片表面位于焦深范圍內(nèi)，否則會(huì)嚴(yán)重影響集成電路的生產(chǎn)良率。因此，需采用聚焦測(cè)量系統(tǒng)來(lái)測(cè)量硅片表面高度，在曝光時(shí)通過(guò)軸向調(diào)節(jié)承載硅片的工件臺(tái)的高度，使其處于投影物鏡的焦面處。

二、測(cè)量原理和系統(tǒng)組成

基于光學(xué)三角法的聚焦測(cè)量技術(shù)是輪廓測(cè)量法的一種，這種技術(shù)在光刻工藝中應(yīng)用廣泛，其利用激光束、被測(cè)表面和探測(cè)器之間的光學(xué)關(guān)系來(lái)測(cè)量表面的形狀和位置變化?；诠鈱W(xué)三角法的聚焦測(cè)量原理如圖1所示。測(cè)量光束以較大的角度θ入射到硅片表面，經(jīng)硅片表面反射后被探測(cè)器接收。

圖1光學(xué)三角法的測(cè)量原理

探測(cè)器上的圖像位置隨硅片表面高度偏移而變化，根據(jù)幾何關(guān)系可知，當(dāng)硅片表面高度變化h時(shí)，探測(cè)器上的圖像位移?x可表示為

?x = 2h sin θ

通過(guò)測(cè)量光束在探測(cè)器上的圖像位移變化量可計(jì)算硅片表面的高度信息。光刻機(jī)曝光時(shí)，根據(jù)獲得的硅片形貌實(shí)時(shí)調(diào)整工件臺(tái)的高度，保證硅片曝光位置始終處在投影物鏡的焦面處。

三、聚焦測(cè)量的方法

01 輪廓測(cè)量法

通過(guò)測(cè)量光刻膠膜的表面輪廓來(lái)間接測(cè)量聚焦?fàn)顟B(tài)。輪廓測(cè)量法使用非接觸式測(cè)量，不會(huì)破壞光刻膠膜，但這種方法的精度會(huì)受到光刻膠膜的表面形貌和質(zhì)量的影響。

02干涉測(cè)量法

利用光的干涉現(xiàn)象來(lái)測(cè)量聚焦?fàn)顟B(tài)。干涉測(cè)量法能夠非常精確地測(cè)量聚焦?fàn)顟B(tài)，但需要使用高質(zhì)量的光源和干涉儀，因此成本較高。

03像差測(cè)量法

通過(guò)測(cè)量光刻膠膜上的圖像形狀來(lái)直接測(cè)量聚焦?fàn)顟B(tài)。像差測(cè)量法可以直接獲取聚焦信息，但是需要實(shí)現(xiàn)在光刻膠膜上形成可測(cè)量的圖像，因此在實(shí)際操作中會(huì)有一定難度。

04 數(shù)值孔徑測(cè)量法

通過(guò)測(cè)量物鏡的數(shù)值孔徑來(lái)間接測(cè)量聚焦?fàn)顟B(tài)。數(shù)值孔徑測(cè)量法的精度較高，但需要使用掃描儀等設(shè)備來(lái)輔助測(cè)量。

05光學(xué)傳感器測(cè)量法

通過(guò)在光刻機(jī)上安裝光學(xué)傳感器來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)聚焦?fàn)顟B(tài)。光學(xué)傳感器能夠快速、準(zhǔn)確地測(cè)量聚焦?fàn)顟B(tài)，但需要在光刻機(jī)上留出位置安裝光學(xué)傳感器，因此會(huì)對(duì)光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生一定的影響。

四、       數(shù)字無(wú)掩膜光刻機(jī)的聚焦控制

數(shù)字無(wú)掩膜光刻機(jī)是一種用于信息科學(xué)、系統(tǒng)科學(xué)與材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器。它采用數(shù)字光刻技術(shù)，利用光學(xué)、化學(xué)反應(yīng)等原理，將數(shù)字圖像直接轉(zhuǎn)移到光刻膠上，用于制造集成電路、微電子器件等。

數(shù)字無(wú)掩膜光刻機(jī)使用數(shù)字光處理（DLP）技術(shù)進(jìn)行曝光投影，與傳統(tǒng)掩膜曝光機(jī)不同，這種技術(shù)不需要提前制作掩膜版。數(shù)字光處理使用數(shù)字微鏡器件（DMD）作為核心元件，DMD通常由數(shù)百萬(wàn)個(gè)微鏡組成陣列，每個(gè)微鏡的尺寸僅為數(shù)十微米，每個(gè)微鏡可以在不同的角度上反射入射光。通過(guò)控制微鏡陣列的角度，可以實(shí)現(xiàn)入射光的開(kāi)和關(guān)狀態(tài)，從而達(dá)到控制光信號(hào)的目的。在光刻技術(shù)中，通過(guò)將待加工的掩膜版圖形以數(shù)字圖形編程的方式寫(xiě)入到微鏡陣列中，從而形成一種代替?zhèn)鹘y(tǒng)掩膜版的數(shù)字掩膜圖形來(lái)進(jìn)行投影曝光?；贒MD的光刻系統(tǒng)如圖2所示。

圖2  DMD光刻系統(tǒng)

數(shù)字光刻系統(tǒng)中鏡頭與工件臺(tái)的相對(duì)關(guān)系僅依靠聚焦傳感器的測(cè)量結(jié)果，因此鏡頭上下調(diào)節(jié)過(guò)程中，聚焦傳感器零位必須與鏡頭的曝光面同時(shí)運(yùn)動(dòng)且嚴(yán)格保持一致。

五、托托科技數(shù)字無(wú)掩膜光刻機(jī)

托托科技（蘇州）有限公司是一家專(zhuān)注于顯微光學(xué)加工和顯微光學(xué)檢測(cè)領(lǐng)域的公司，在基于數(shù)字微鏡器件的無(wú)掩膜光刻技術(shù)領(lǐng)域中進(jìn)行了數(shù)年的深入研究和技術(shù)積累。

圖3 托托科技數(shù)字無(wú)掩膜光刻機(jī)

托托科技數(shù)字無(wú)掩膜光刻機(jī)配備自主研發(fā)的高速主動(dòng)對(duì)焦模塊，搭配高精度運(yùn)動(dòng)電機(jī)，最小能夠識(shí)別幾十納米級(jí)的高度變化，同時(shí)配合PID控制算法，可以實(shí)現(xiàn)光刻過(guò)程中的實(shí)時(shí)跟蹤聚焦，保證光刻的精度和良率。

另外由于垂軸運(yùn)動(dòng)電機(jī)本身的大行程，該主動(dòng)對(duì)焦系統(tǒng)能夠適配幾十納米到幾毫米以?xún)?nèi)任意厚度的光刻襯底，具有廣泛適應(yīng)性。圖4展示了托托科技數(shù)字無(wú)掩膜光刻機(jī)制備8英寸高精度圖形的能力。

圖4托托科技展示8英寸光刻晶圓

參考文獻(xiàn)：

[圖1]王向朝,戴鳳釗.集成電路與光刻機(jī)[M].北京:科學(xué)出版社,2020

[圖2]李世光，郭磊，曾海峰，戢逸云，王寅，肖燕青. 光刻技術(shù)中的聚焦控制. 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2022(09): 280-296