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電子顯微鏡樣品導(dǎo)電薄膜制造裝置-鋨等離子體鍍膜機

來源：秋山科技（東莞）有限公司 2024年12月25日 13:12

電子顯微鏡樣品導(dǎo)電薄膜制造裝置-鋨等離子體鍍膜機

用鋨離子鍍膜
機電鏡觀察　解決您的難題！
　它對于防止充電、減少顆粒感和熱損傷非常有效。

概述

鋨等離子鍍膜機是一種主要用于SEM樣品的導(dǎo)電薄膜生產(chǎn)裝置，采用“使用直流輝光放電的負(fù)輝光相區(qū)域的等離子成膜方法”。導(dǎo)電鋨薄膜可以使用獲得的直流等離子體CVD方法形成（在負(fù)輝光相區(qū)域內(nèi)成膜）。自動操作允許任何人安全地沉積鋨薄膜并具有良好的再現(xiàn)性。

該產(chǎn)品陣容包括鋨薄膜專用型號和配備使用萘的等離子聚合膜機構(gòu)的兩用型號。可選配超薄膜形成機構(gòu)、親水處理機構(gòu)、深樣品機構(gòu)，支持各種應(yīng)用。
此外，除了傳統(tǒng)的開關(guān)型外，鋨薄膜型號的產(chǎn)品陣容中還新增了觸摸屏型。

原則

對于要用掃描電子顯微鏡（SEM）拍照的樣品，必須在樣品表面形成導(dǎo)電薄膜，以防止其因電子束照射而帶電。
傳統(tǒng)上，導(dǎo)電薄膜是使用濺射或金氣相沉積方法形成的。然而，人們擔(dān)心樣品表面的顆粒度以及樣品熱損傷造成的損壞。
因此，Philgen 開發(fā)了鋨等離子體鍍膜機，這是一種可以利用直流等離子體 CVD（負(fù)輝光相區(qū)域成膜）方法形成導(dǎo)電鋨薄膜的設(shè)備。
當(dāng)將少量4氧化鋨（OsO4）氣體/萘氣體（C10H18）引入真空室中并發(fā)生輝光放電時，瞬間變成等離子體狀態(tài)，分為正輝光相區(qū)和負(fù)輝光相區(qū)。
此時，電離的分子立即附著并沉積在置于陰極板負(fù)輝相區(qū)域的樣品表面上，形成非晶態(tài)鋨薄膜/等離子體聚合膜（萘）。
鋨薄膜是非晶態(tài)的，因此不會對樣品造成熱損傷，并且當(dāng)用SEM對涂層樣品進行拍照時，可以獲得極其清晰的圖像，沒有顆粒感。

與其他方法的比較

◆關(guān)于鋨薄膜

?無粒度 - 人類淋巴細(xì)胞

鋨涂層

放大倍數(shù)：50,000x

濺射鍍膜 (Pt-Pd)

放大倍數(shù)：50,000x

　由于鋨薄膜是非晶態(tài)的，沒有顆粒感，可以清晰地拍攝樣品表面。
　濺射涂層樣品顯示出顆粒狀。

? 良好的環(huán)繞性 - 抗破洞

鋨涂層

放大倍數(shù)：50,000x

非拍攝

放大倍率：50,000x

　通過將氧化鋨氣化后成膜，即使是凹凸區(qū)域，也能夠以良好的覆蓋率進行涂敷。
　無需充電即可拍攝清晰的照片。

?無熱損傷-硝酸安

鋨涂層

↓

放大倍數(shù)：1,000x

金沉積法

↓

放大倍數(shù)：2,000x

　沒有加熱的過程，可以在室溫下成膜，因此對樣品沒有熱損傷。
　經(jīng)過金蒸發(fā)預(yù)處理的樣品因熱損傷而出現(xiàn)裂紋。 ?金屬鋨的熔點　高達2,700℃，

不會被電子束損壞，是一種極其堅固的薄膜。 ?無污染（在鋨離子氣氛中形成的膜）

◆關(guān)于等離子聚合膜（萘制碳?xì)浠衔锬ぃ?br/>

?韌性（應(yīng)用于FIB）
　這是一種堅韌的膜，可以承受FIB中使用的鎵離子。

?耐熱性?

絕緣性

?無顆粒感（碳?xì)浠衔锏入x子聚合膜是無定形的）

?良好的包裹性（萘氣化后形成膜）

?無熱損傷（無加熱過程，（在室溫下形成膜）

?無電子束損傷

應(yīng)用

鋨薄膜機構(gòu)（觸摸屏型/開關(guān)型） ?SEM樣品用導(dǎo)電薄膜 ?SEM、TEM樣品的防污染?AFM 樣品保護膜 ?SPM樣品用導(dǎo)電保護膜 ?SPM懸臂膜保護	等離子聚合成膜機理 ?FIB樣品的保護膜? 防止包埋樹脂與樣品之間的剝離? 氟樹脂涂層 ?。?/span>萘-鋨混合涂層） ?TEM網(wǎng)格支撐膜 ?TEM超薄切片的防漂移
導(dǎo)電超薄膜形成機制（可選） ?FESEM對絕緣體超細(xì)結(jié)構(gòu)觀察 ?ESCA和AES對絕緣體表面信息進行定量分析加固?AFM樣品的防靜電?STM ?TEM樣品的導(dǎo)電（僅限混合氣體法）	親水處理機制（可選） ?氟樹脂表面鋨涂層預(yù)處理等? 防止包埋樹脂與樣品之間剝離?改善潤濕性 ?TEM支撐膜表面親水化?TEM 網(wǎng)格親水化? 金剛石刀刀刃超親水化用于切片機
深樣品機構(gòu)（可選） ?適合涂覆較高的樣品

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