SI 591 RIE反應離子刻蝕

RIE反應離子刻蝕采用模塊化設計，可滿足III/V半導體和Si加工工藝領域的的靈活應用。 SENTECH SI 591可應用于各種領域的蝕刻工藝中，能夠完成多種刻蝕加工。

RIE反應離子刻蝕主要特點:

高均勻性和優(yōu)重復性的蝕刻工藝

預真空鎖loadlock

電腦控制操作

SENTECH高級等離子設備操作軟件

數(shù)據(jù)資料記錄

穿墻式安裝方式

刻蝕終點探測

工藝靈活性

RIE蝕刻機SI 591 特別適用于氯基和氟基等離子蝕刻工藝，占地面積小且模塊化程度高，SI 591 可配置為單個反應腔或作為片盒到片盒裝載的多腔設備。SENTECH控制軟件，我們的等離子蝕刻設備包括用功能強大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面，參數(shù)窗口，工藝窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。

預真空室和計算機控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優(yōu)異的工藝再現(xiàn)性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是SI 591的設計特點。樣品直徑大可達200mm，通過載片器加載。SI 591可以配置為穿墻式操作或具有更多選項的小占地面積操作。位于頂部電極和反應腔體的更大診斷窗口可以輕易地容納SENTECH激光干涉儀或OES和RGA系統(tǒng)。橢偏儀端口可用于SENTECH橢偏儀進行原位監(jiān)測。

SI 591結合了計算機控制的RIE平行板電極設計的優(yōu)點和預真空室系統(tǒng)。SI 591可配置用于各種材料的刻蝕。在SENTECH，我們提供不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室或多六個工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng)，目標是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 591也可用作多腔系統(tǒng)中的一個工藝模塊。

SI 591 compact

• 占地面積小的RIE等離子刻蝕

• 預真空室

• 鹵素和氟基氣體

• 適用于200mm的晶片

• 用于激光干涉儀和OES的診斷窗口

SI 591 cluster

• 可配置為至多6端口傳輸

• 結合RIE, ICP-RIE和PECVD腔體

• 手動預真空室置片或片盒裝載

• 用于研發(fā)和高產(chǎn)量的多腔系統(tǒng)

• SENTECH控制軟件