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ALD R-200 ALD R-200 PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)-高級版

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱 北京亞科晨旭科技有限公司
品牌 其他品牌
型號 ALD R-200 ALD R-200
產(chǎn)地芬蘭
廠商性質 生產(chǎn)廠家
更新時間 2024/9/25 13:43:50
訪問次數(shù) 1548

產(chǎn)品標簽

PICOSUN 原子層沉積 ALD PICOSUN-ALD 原子層

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公司介紹 主營產(chǎn)品

公司自成立以來就一直專注于半導體、微組裝和電子裝配等領域的設備集成和技術服務；目前公司擁有一支在半導體制造、微組裝及電子裝配等領域經(jīng)驗豐富的專業(yè)技術團隊，專業(yè)服務于混合電路、光電模塊、MEMS、先進封裝（TSV、Fan-out等）、化合物半導體、微波器件、功率器件、紅外探測、聲波器件、集成電路、分立器件、微納等領域。我們不僅能為客戶提供整套性能可靠的設備，還能根據(jù)客戶的實際生產(chǎn)需求制訂可行的工藝技術方案。
目前亞科電子已與眾多微電子封裝和半導體制造設備企業(yè)建立了良好的合作關系（如：BRUKER、EVG、TRYMAX、CAMTEK、CENTROTHERM、SENTECH、ENGIS、ADT、SONOSCAN、ASYMTEK、MARCH、PANASONIC、HYBOND、OKI、KEKO等），為向客戶提供先進的設備和專業(yè)的技術服務打下了堅實基礎。

展開

半導體設備，微組裝設備，LTCC設備，化工檢測設備

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產(chǎn)地類別	進口	價格區(qū)間	100萬-200萬
應用領域	電子,航天

PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200高級版

（PICOSUN™ ALD R-200 Advanced）

名稱：原子層沉積系統(tǒng) 產(chǎn)地：芬蘭

Picosun簡介

Picosun是yi家公司，Picosun的總部位于芬蘭的Espoo，其生產(chǎn)設施位于芬蘭的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN®ALD設備專為高產(chǎn)量和高產(chǎn)量而設計，并且不斷發(fā)展以提高效率。Picosun適應性強其客戶包括大的電子制造商，小型的創(chuàng)新型挑戰(zhàn)者以及的大學。 Picosun的組織機構和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個客戶的需求。PICOSUN®研發(fā)工具具有du特的內置可擴展性，可確保將研究結果平穩(wěn)過渡到大批量工業(yè)制造中，而不會出現(xiàn)技術差距。Picosun的熱情在于創(chuàng)新。當您想與設備制造商共同創(chuàng)建定制的ALD解決方案，從而引ling行業(yè)發(fā)展時，Picosun是您的合作伙伴。

PICOSUN™ R系列設備提供高質量ALD薄膜的沉積技術，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)ji佳的均勻性，包括具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學物提供的更高級的，易更換的前驅源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度小的薄膜層。在基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個du立的，*分離的源入口匹配多種類型的前驅源。PICOSUN™ R系列du特的擴展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN™ P系列ALD系統(tǒng)。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN™反應腔室核心設計特點都是相同的,這消除了實驗室與制造車間之間的鴻溝。對大學來說,突破創(chuàng)新的技術轉化到生產(chǎn)中，就會吸引到企業(yè)投資。

PICOSUN®R-200高級

PICOSUN®R-200 Advanced ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。

群集工具，Picoflow™擴散增強劑，卷對卷室，RGA，UHV兼容性，N2發(fā)生器，氣體洗滌器，定制設計，用于惰性裝載的手套箱集成PICOSUN®R-200高級ALD系統(tǒng)是高級ALD研究工具的市場，已有數(shù)百個客戶安裝。它已成為創(chuàng)新驅動的公司和研究機構的工具。

敏捷的設計實現(xiàn)了高質量的ALD薄膜沉積以及終的系統(tǒng)靈活性，可以滿足未來的需求和應用。的熱壁設計具有*du立的入口和儀器，可實現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料。得益于我們專有的Picoflow™技術，即使在具挑戰(zhàn)性的通孔，超高長寬比和納米顆粒樣品上也能實現(xiàn)出色的均勻性。 PICOSUN®R-200 Advanced系統(tǒng)配備了功能強大且易于更換的液態(tài)，氣態(tài)和固態(tài)化學品前體源。高效且獲得的遠程等離子選件可實現(xiàn)金屬沉積，而沒有短路或等離子損壞的風險。與手套箱，UHV系統(tǒng)，手動和自動裝載機，集群工具，粉末倉，卷對卷倉以及各種原位分析系統(tǒng)集成在yi起，無論您現(xiàn)在或將來的研究領域如何，都可以高效，靈活地進行研究，并獲得良好的結果稍后。

（*）等離子發(fā)生器技術特點：

遠程血漿源安裝到裝載室并與反應室連

出色性能的適用于不同化學性質的藍寶石涂藥器

商用微波等離子體發(fā)生器，具有300 – 3000 W可調功率，2.45 GHz頻率

保護氣體在中間空間中流動（無等離子體物質的反向擴散）

在相同的沉積過程中，等離子體和熱ALD循環(huán)的可能性，而無需對系統(tǒng)進行硬件更改

技術指標

襯底尺寸和類型	50 – 200 mm /單片
	大可沉積直徑150 mm基片，豎直放置，10-25片/批次（根據(jù)工藝）
	156 mm x 156 mm 太陽能硅片
	3D 復雜表面襯底（使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳）
	粉末與顆粒（配備擴散增強器）
	多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
工藝溫度	50 – 500 °C, 可選更高溫度（真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C）
基片傳送選件	氣動升降（手動裝載）
基片傳送選件	預真空室安裝磁力操作機械手（Load lock ）
前驅體	液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源
	4根du立源管線，多加載6個前驅體源
	對蒸汽壓低的前驅體(1mbar~10mbar)，用氮氣等載氣導入前驅體瓶內引出
重量	350kg
尺寸（ W x H x D)）	取決于選件
	小146 cm x 146 cm x 84 cm
	大189 cm x 206 cm x 111 cm
選件	PICOFLOW™擴散增強器，集成橢偏儀，QCM， RGA，N2發(fā)生器，尾氣處理器，定制設計，手套箱集
選件	成（用于惰性氣體下裝載）。
驗收標準	標準設備驗收標準為 Al₂O₃ 工藝

應用領域

客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設備在150mm和200mm（6”和8”）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù)。

材料	非均勻性(1σ)
AI₂O₃ (batch)	0.13%
SiO₂ (batch)	0.77%
TiO₂	0.28%
HfO₂	0.47%
ZnO	0.94%
Ta₂O₅	1.00%
TiN	1.10%
CeO₂	1.52%
Pt	3.41%

PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200高級版

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