| 供貨周期 | 一個月以上 | 規(guī)格 | KDC 75 |
|---|---|---|---|
| 貨號 | KDC 75 | 主要用途 | 真空鍍膜 |
因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準
KRI 考夫曼離子源 KDC 75
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個陰極燈絲, 其中一個作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數
型號 | KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出) |
供電 | DC magnetic confinement |
- 陰極燈絲 | 2 |
- 陽極電壓 | 0-100V DC |
電子束 | OptiBeam™ |
- 柵極 | , 自對準 |
-柵極直徑 | 7.5 cm |
中和器 | 燈絲 |
電源控制 | KSC 1212 或 KSC 1202 |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
- 安裝 | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 7.9' |
- 直徑 | 5.5' |
- 離子束 | 聚焦 |
-加工材料 | 金屬 |
-工藝氣體 | 惰性 |
-安裝距離 | 6-24” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 一個陰極燈絲; 可調角度的支架
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統配置
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 75
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考夫曼離子源 KDC 75
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