離子污染度測試系統(tǒng)

離子污染度測試系統(tǒng)

▲總述

本設(shè)備為兩室真空系統(tǒng)。其中一室為進(jìn)樣取樣室，另一室為刻蝕室。進(jìn)樣取樣室與刻蝕室之間裝有真空鎖，進(jìn)樣取樣采用機(jī)械手運(yùn)送。

本設(shè)備主要由真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)，冷卻系統(tǒng)、送取片機(jī)構(gòu)、報(bào)警系統(tǒng)等組成。

▲真空系統(tǒng)

本系統(tǒng)由一個(gè)抽速600升/秒分子泵+抽速9升/秒真空泵組成抽氣系統(tǒng), 將刻蝕室抽至高真空, 分子泵與刻蝕室之間裝有壓力調(diào)節(jié)閥電插板閥, 機(jī)械泵為刻蝕室予抽泵及分子泵前級泵。用另一個(gè)抽速9升/秒機(jī)械泵將進(jìn)取樣室抽至真空狀態(tài)。 機(jī)械泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不銹鋼波紋管連接, 并裝有電磁氣動(dòng)隔斷閥。

▲恒壓控制系統(tǒng)

本設(shè)備配有下游恒壓控制系統(tǒng)，在抽氣管路裝有一電動(dòng)可調(diào)節(jié)閥，通過薄膜規(guī)測量（進(jìn)口件），可調(diào)節(jié)閥控制，使真空室達(dá)到恒壓,從而提高工藝穩(wěn)定性。

▲射頻電源系統(tǒng)

采用射頻電源兩套，帶自動(dòng)動(dòng)匹配。

▲氣路系統(tǒng)

由4個(gè)質(zhì)量流量控制器控制4路氣體進(jìn)氣。氣體管路均采用1/4英寸不銹鋼硬管，管路接頭連接形式采用雙卡套連接。質(zhì)量流量控制器采用美國技術(shù),氣路閥門、管路等采用進(jìn)口件。

▲控制系統(tǒng)

采用工控機(jī)及PLC控制，通過觸摸屏設(shè)置參數(shù)及顯示測量值、狀態(tài)等，實(shí)現(xiàn)真空系統(tǒng)及工藝過程自動(dòng)化。本機(jī)可選擇全自動(dòng)及非全自動(dòng)模式。

▲報(bào)警系統(tǒng)：設(shè)備所需安全要求。

二. 主要技術(shù)指標(biāo)

  1. 極限真空:  刻蝕室9.0×10^-5 Pa (室內(nèi)濕度≤55%)

               進(jìn)樣取樣室6.0×10^-1 Pa

2. 刻蝕材料:  Poly-Si、Si、SiO₂、Si₃N_4、深刻硅等

3. 刻蝕速率:   0.01~ 2μ/min

4. 刻蝕均勻性: ≤±5％(φ125mm范圍內(nèi))；

5. 電極尺寸: φ200mm

三．設(shè)備基本配置

1. 真空泵源:  抽速600升/秒分子泵一臺(tái)

抽速9升/秒機(jī)械泵二臺(tái)

2. 射頻功率源: RF 500W射頻電源及自動(dòng)匹配器一套

RF 1000W射頻電源及自動(dòng)匹配器一套

3. 氣路系統(tǒng):   4臺(tái)質(zhì)量流量計(jì)控制四路進(jìn)氣（七星華創(chuàng)）

              (管件閥門：進(jìn)口)

4. 真空測量：  復(fù)合真空計(jì)一臺(tái)

5．恒壓系統(tǒng)： 薄膜規(guī)一個(gè)(進(jìn)口)

可調(diào)節(jié)閥一套

6. 自動(dòng)控制系統(tǒng)一套（含工控機(jī)，PLC控制器，17〞觸摸顯示屏、    驅(qū)動(dòng)電路等）

離子污染度測試系統(tǒng)