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球形脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)

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PLD

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  沈陽科晶立足國內(nèi)市場實(shí)際情況,以提供Z為實(shí)用的產(chǎn)品為己任。產(chǎn)品的質(zhì)量、精度在向國外企業(yè)看齊的基礎(chǔ)上,產(chǎn)品的價(jià)格定位卻僅僅是其幾分之一。性價(jià)比不僅吸引了眾多國內(nèi)客戶,而且令挑剔的外國客商也稱贊不已,產(chǎn)品遠(yuǎn)銷于印度、馬來西亞、土耳其、波蘭、突尼斯、澳大利亞等國家,并大量出口于美國。

  沈陽科晶為了更好地服務(wù)客戶,專門設(shè)立了開放式專業(yè)實(shí)驗(yàn)室,配備了優(yōu)秀的專業(yè)技術(shù)人員。在這里,不僅可以提供親身的產(chǎn)品體驗(yàn)環(huán)境,而且還可得到專業(yè)人員的操作指導(dǎo)。開設(shè)以來,制作的樣品達(dá)上千件,接待來訪客參觀戶百余次,其中包括多次外國友人的來訪。在此,沈陽科晶全體員工誠摯地歡迎您的到來,并希望您能提出寶貴的意見與建議。

  沈陽科晶一路走過的歷程,是為我國材料研究事業(yè)全力貢獻(xiàn)的歷程,是以實(shí)際行動(dòng)將自己打造成國內(nèi)材料分析設(shè)備品牌的歷程,是與國外同行不斷縮小差距的歷程,是與廣大客戶相扶相持的成長歷程。雖一路充滿坎坷與荊棘,但堅(jiān)持不懈的沈陽科晶人仍全力以赴的前行。秉承這份堅(jiān)持,相信在不久的將來,沈陽科晶也將會(huì)成為市場上專業(yè)的、杰出的材料分析設(shè)備品牌,沈陽科晶的明天會(huì)更加燦爛輝煌。

 

我們擁有同類型中優(yōu)質(zhì)性價(jià)比的產(chǎn)品!                 

      您正在為材料與設(shè)備無從下手而焦急嗎?

歡迎來到沈陽科晶,我們是國內(nèi)實(shí)驗(yàn)室樣品制備設(shè)備領(lǐng)域的專家!

 

 

 

 

 

 

 

 

切割機(jī),金剛石線切割機(jī),研磨拋光機(jī),提拉涂膜機(jī),旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī),真空鍍膜機(jī),管式爐,箱式爐,電池實(shí)驗(yàn)研究設(shè)備,清洗機(jī)

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 電子

該系統(tǒng)為球形脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)工藝研發(fā)設(shè)備。脈沖激光沉積 (Pulsed laser deposition, PLD),就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積,利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離,使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng),進(jìn)而在基底上沉積,從而形成薄膜的一種方式。 在眾多的薄膜制備方法中,脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛,可用來制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜,甚至還用來制備一些難以合成的材料膜,如金剛石、立方氮化物膜等。1、環(huán)境溫度:10℃~35℃
2、相對(duì)濕度:不大于75%
3、供水:水壓0.2MPa~0.4MPa,水溫15℃~25℃
4、設(shè)備周圍環(huán)境整潔,空氣清潔,不應(yīng)有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵?;驓怏w存在。

產(chǎn)品名稱
球形脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)
安裝條件1、環(huán)境溫度:10℃~35℃
2、相對(duì)濕度:不大于75%
3、供電電源:220V、單相、50±0.5 Hz
4、設(shè)備功率:小于4KW   
5、供水:水壓0.2MPa~0.4MPa,水溫15℃~25℃,
6、設(shè)備周圍環(huán)境整潔,空氣清潔,不應(yīng)有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵?;驓怏w存在。
主要參數(shù)
1、系統(tǒng)采用真空室為球形結(jié)構(gòu),手動(dòng)前開門
2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造(304),氬弧焊接,表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理
3、真空腔室有效尺寸為Φ300mm,配有可視觀察窗口
4、極限真空度:≤6.67x10-5Pa (經(jīng)烘烤除氣后,采用600L/S分子泵抽氣,前級(jí)采用8L/S);
系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到8.0x10-4 Pa,40分鐘可達(dá)到; 停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度:≤20Pa
5、樣品臺(tái):樣品尺寸φ40mm,轉(zhuǎn)速1-20RPM,基片臺(tái)與轉(zhuǎn)靶距離40~90mm
6、樣品加熱最高加熱溫度:800℃,溫控精度:±1°C,采用控溫表進(jìn)行控溫
7、四工位轉(zhuǎn)靶:每個(gè)靶位φ40mm,擋板只露出一個(gè)靶位,激光束要求打在最上面靶位,轉(zhuǎn)靶具有公轉(zhuǎn)、自轉(zhuǎn)功能
8、真空室內(nèi)設(shè)置烘烤、照明、水壓報(bào)警裝置
9、MFC一路質(zhì)量流量計(jì)控制進(jìn)氣 :0-100sccm




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