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SENTECH二維材料刻蝕

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 北京瑞科中儀科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間 2024/7/10 8:29:28
  • 訪問次數(shù) 941

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北京瑞科中儀科技有限公司專注半導(dǎo)體材料研究分析設(shè)備的研發(fā)和應(yīng)用。專業(yè)的團(tuán)隊(duì),專精的服務(wù),提供理想的解決方案。

我們長期專注于半導(dǎo)體材料研究與分析設(shè)備的經(jīng)銷和代理,為高校、企業(yè)科研工作者提供專業(yè)的分析解決方案。以專業(yè)技能為導(dǎo)向,用科技來解決用戶在科研中遇到的難題。專業(yè)的技術(shù)工程師和科研工作者進(jìn)行現(xiàn)場演示和技術(shù)交流,打消顧慮,彼此協(xié)作,為我國的科研領(lǐng)域譜寫新篇章。

北京瑞科中儀科技有限公司長期代理銷售供應(yīng)多種分子材料的研究分析設(shè)備,其中包括但不限于掃描電子顯微鏡、感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)、離子束刻蝕機(jī)、等離子清洗機(jī)、物理氣相沉積系統(tǒng)以及各品牌的光學(xué)顯微鏡以及實(shí)驗(yàn)室設(shè)備儀器。

客戶至上的服務(wù)理念,以人為本的企業(yè)文化,我們始終為用戶提供專業(yè)的服務(wù)!

合作丨共贏,選擇我們,選擇未來!

 

半導(dǎo)體材料分析,材料刻蝕

價(jià)格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,電子

SENTECH二維材料刻蝕的優(yōu)勢:

用于敏感襯底的PEALD:

真遠(yuǎn)程等離子體源能夠在低溫<100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層,在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體,而不受紫外線輻射或離子轟擊。

用于工藝研發(fā)和改善的實(shí)時(shí)監(jiān)測:

ALD實(shí)時(shí)監(jiān)視儀RTM的原位診斷實(shí)現(xiàn)了單一ALD循環(huán)的超高分辨率。優(yōu)點(diǎn)是確認(rèn)ALD范圍,減少處理時(shí)間和總生產(chǎn)成本。采用橢偏光譜、QCM和QMS進(jìn)行原位診斷,也是我們?cè)訉映练e設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)。

簡易的腔體清洗:

定期反應(yīng)腔體清洗對(duì)于穩(wěn)定和可重復(fù)的原子層沉積工藝是的。借助于用于清洗原子層沉積系統(tǒng)的升降裝置,可以容易地打開反應(yīng)腔體。

集成手套箱:

SENTECH原子層沉積設(shè)備與各種供應(yīng)商的手套箱兼容。

多腔集成:

原子層沉積設(shè)備可作為SENTECH多腔系統(tǒng)的一個(gè)模塊。我們的原子層沉積設(shè)備可以與SENTECH PECVD和蝕刻設(shè)備結(jié)合用于工業(yè)應(yīng)用??蛇x的多腔系統(tǒng)也具備片盒到片盒裝片的特點(diǎn)。

SENTECH二維材料刻蝕實(shí)現(xiàn)了熱ALD和等離子體增強(qiáng)ALD操作。ALD設(shè)備可以配置為用于氧化物、氮化物和金屬沉積。三維結(jié)構(gòu)具有出色的均勻性和保行性。利用ALD、PECVD和ICPECVD,SENTECH提供等離子體沉積技術(shù),用于從納米尺度沉積到數(shù)微米的薄膜沉積。

SENTECH ALD設(shè)備實(shí)現(xiàn)了熱ALD和等離子體增強(qiáng)ALD膜交替沉積多層結(jié)構(gòu)。熱ALD和等離子體增強(qiáng)ALD可在同一個(gè)反應(yīng)腔體中用快門來切換。

SENTECH提供了前沿的快速原位監(jiān)測技術(shù),實(shí)時(shí)監(jiān)測和廣泛范圍的光譜橢偏儀可逐層監(jiān)測薄膜生長。

 

 

Exraordinary homogeneity by PEALD of Al2O3 on 4'' wafersNotable homogeneity by thermal ALD of Al2O3 on 4'' wafers18 nm ALD Al2O3 (top) and 21 nm PEALD Al2O3 (bottom) showing very good conformality to 3D structuresPEALD Al2O3 on 8“ wafer with very good uniformityThermal ALD Al2O3 on 8“ wafer with uniformity of ± 1.2 %Atomic Layer DepositionClose up view of direct loadPlasma enhanced Atomic Layer Deposition with loadlockAtomic Layer Deposition System ALD LL with ALD Real Time Monitor

 

 



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