RIE-802BCT 深硅刻蝕設(shè)備

1. 產(chǎn)品概述

RIE-802BCT是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個(gè)反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標(biāo)準(zhǔn)配置有空氣盒和晶圓邊緣保護(hù)環(huán)，以及高精度的晶圓對(duì)準(zhǔn)器。該高性能系統(tǒng)能夠進(jìn)行高長(zhǎng)寬比加工（超過(guò)100）和低扇形加工，同時(shí)保持高蝕刻率和抗蝕劑選擇率。

2. 設(shè)備用途/原理

MEMS的制造（加速度傳感器、陀螺傳感器、壓力傳感器、執(zhí)行器等）。噴墨打印頭加工、通過(guò)TSV形成通硅。生產(chǎn)功率器件(超結(jié)MOSFET)、等離子切割。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

高寬比處理，的等離子體發(fā)生器和反應(yīng)器結(jié)構(gòu)，在保持垂直蝕刻形狀的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了高寬比加工。低扇形加工，通過(guò)高速切換氣體，在保持蝕刻速度的同時(shí)，可以減少扇貝。2003年，Samco是日本獲得博世工藝許可的設(shè)備制造商。從那時(shí)起，我們建立的工藝庫(kù)就可以對(duì)各種形狀和材料進(jìn)行加工。