RIE-800BCT 深硅刻蝕設備

1. 產品概述

RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產型硅DRIE系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進行高縱橫比處理（超過100）和低扇形處理，同時保持高蝕刻率和選擇性。

2. 設備用途/原理

制造MEMS（加速度傳感器、陀螺儀、壓力傳感器、執(zhí)行器等）。噴墨打印頭的加工，形成通硅孔(TSV)，功率器件（超結MOSFET）的制造。等離子切割。

3. 設備特點

MEMS量產中的高速蝕刻，量產中的高寬比蝕刻，扇貝的控制/無扇貝的非波西法流程，傾斜控制，均勻性好，用于絕緣體硅(SOI)晶片缺口控制的偏置脈沖。深硅ICP刻蝕機是一種用于信息科學與系統(tǒng)科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器。