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RIE-800iPB 電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 SAMCO
- 型號(hào) RIE-800iPB
- 產(chǎn)地 日本
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
- 更新時(shí)間 2024/9/6 13:57:32
- 訪問(wèn)次數(shù) 262
產(chǎn)品標(biāo)簽
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1. 產(chǎn)品概述
Samco 的 RIE-800iPB 是一種高性能的電感耦合等離子體 (ICP) 蝕刻系統(tǒng)，使用高密度等離子體進(jìn)行 MEMS 和 TSV 應(yīng)用所需的深度硅蝕刻。
RIE-800iPB是為Bosch工藝設(shè)計(jì)的用硅蝕刻系統(tǒng)（由Robert Bosch GmbH授權(quán)）。該系統(tǒng)的反應(yīng)室、電、平臺(tái)和真空設(shè)計(jì)克服了在競(jìng)爭(zhēng)系統(tǒng)中遇到的問(wèn)題，可實(shí)現(xiàn)高速(約50 μm/min)、無(wú)傾斜、高剖面蝕刻，具有行業(yè)先的選擇性(超過(guò)100:1)。
2. 設(shè)備用途/原理
MEMS（加速度傳感器、陀螺儀、壓力傳感器、執(zhí)行器等）。通過(guò)硅通道(TSV)、噴墨打印機(jī)頭的加工、功率器件(超結(jié)MOSFET)、等離子切割/劃線。
3. 設(shè)備特點(diǎn)
MEMS量產(chǎn)中的高速蝕刻，量產(chǎn)中的高寬比蝕刻，扇貝的控制/無(wú)扇貝的非波西法流程，傾斜控制，均勻性好，用于絕緣體硅(SOI)晶片缺口控制的偏置脈沖。
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