Shale® C 系列 8英寸電感耦合等離子體化學氣相沉積設備
- 公司名稱 深圳市矢量科學儀器有限公司
- 品牌 魯汶
- 型號 Shale® C 系列
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2024/9/4 15:35:04
- 訪問次數(shù) 178
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1. 產(chǎn)品概述
Shale® C系列電感耦合等離子體化學氣相沉積設備(ICP-CVD)是一款先進的薄膜沉積設備,它結(jié)合了電感耦合(ICP)和電容耦合(CCP)技術(shù),為用戶提供了一種高效、可靠的薄膜沉積解決方案。
該設備通過高密度等離子體的產(chǎn)生,實現(xiàn)了極低的沉積溫度,這不僅能夠保護基材,減少熱損傷,還能確保薄膜的高致密性與優(yōu)異的填充能力。該工藝適用于多種材料的沉積,尤其是在對薄膜質(zhì)量有高要求的應用中表現(xiàn)。
此外,Shale® C系列設備采用了符合國際標準的零部件,這些組件是8英寸產(chǎn)線設備中的常用標準部件,確保了設備的兼容性與可維護性。設備的設計遵循SEMI的嚴格標準,確保其在半導體行業(yè)中的穩(wěn)定運行及高度可靠。
在產(chǎn)品性能方面,Shale® C系列經(jīng)過了一系列嚴格的穩(wěn)定性和可靠性測試,驗證了其在長時間連續(xù)運行下的表現(xiàn)。這使得該設備成為制造過程中的理想選擇,適合用于大規(guī)模生產(chǎn)和研發(fā)實驗。
2. 系統(tǒng)特性
可在低溫(<120°C)下沉積高致密薄膜,其致密性不亞于LPCVD在750°C生長的薄膜
可有效降低等離子體損傷,從而降低漏電,漏電流密度與原子層沉積(ALD)制備的薄膜相當
可提供高深寬比薄膜填充工藝
可選8/6英寸電,適用于不同尺寸的晶圓