ALD-150LX™ 原子層沉積ALD

Kurt J. Lesker Company （KJLC） ALD150LX™是一種原子層沉積 （ALD） 系統(tǒng)，專為高級(jí)研發(fā) （R&D） 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。創(chuàng)新的ALD150LX設(shè)計(jì)功能，如我們的前驅(qū)體聚焦技術(shù)™，以及我們超高純度 （UHP） 工藝能力等進(jìn)步技術(shù)，提供了靈活性和性能。該ALD150LX強(qiáng)調(diào)在研發(fā)層面啟用和支持創(chuàng)新的技術(shù)，不僅作為一個(gè)獨(dú)立的平臺(tái)，而且在集群工具配置中提供與其他過(guò)程和分析模塊的連接。®®

ALD150LX集群工具的連接性消除了關(guān)鍵過(guò)程和分析步驟之間不必要的大氣暴露，從而保護(hù)敏感的表面、層及其界面。這種連接性包括集成額外的原子層沉積和分析模塊，以及其他 KJLC 薄膜沉積技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)多技術(shù)工藝和分析能力和支持。結(jié)合質(zhì)量、靈活性和性能，以及多種技術(shù)處理和分析能力，使ALD150LX成為創(chuàng)新的設(shè)計(jì)。

LD150LX工藝室可以配置為純熱或等離子體增強(qiáng) ALD。金屬和差速泵彈性體密封件的組合可防止大氣成分（即 N2、O型2和 H2O）從進(jìn)入底物所在的反應(yīng)區(qū)，從而促進(jìn)了UHP工藝環(huán)境。特別是，UHP條件降低了背景氧雜質(zhì)的水平，從而限制了高質(zhì)量非氧化物基材料及其界面在薄膜生長(zhǎng)之前、期間和之后的暴露。在氧化膜生長(zhǎng)過(guò)程中，氧雜質(zhì)也是寄生性CVD的來(lái)源。我們垂直流設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)分離、均勻的前驅(qū)體輸送，并促進(jìn)前驅(qū)體利用率的提高以及服務(wù)間隔之間的平均時(shí)間延長(zhǎng)。為避免不必要的材料在輸送通道內(nèi)積聚和顆粒形成，四個(gè)獨(dú)立的腔室入口（不包括等離子體）可用于前驅(qū)體分離。例如，可以使用單獨(dú)的入口來(lái)分離金屬有機(jī)前體和共反應(yīng)物，以防止在輸送管線和閥門中沉積。

• 等離子體增強(qiáng)原子層沉積 （PEALD） 配置可選

• 金屬和差速泵彈性體密封件的組合，可實(shí)現(xiàn) UHP 工藝條件

• 全層流和惰性氣體掃除死區(qū)可保持反應(yīng)器清潔，減少釋氣和虛擬泄漏

• 用于原位橢圓偏振儀的分析端口（70° 入射角）（橢偏儀可選）

• 四條獨(dú)立的獨(dú)立加熱入口管路，用于前驅(qū)體輸送，防止輸送通道中不必要的積聚

• 獨(dú)立的基板加熱器平臺(tái)和外腔殼體，可實(shí)現(xiàn)出色的溫度控制和均勻性

• 304L不銹鋼結(jié)構(gòu)

• 可訪問(wèn)、低維護(hù)的設(shè)計(jì)

我們獲得前驅(qū)體聚焦技術(shù)™ （PFT™） 將非活性簾式氣體屏障與集中式前驅(qū)體輸送和泵送相結(jié)合，以最大限度地減少與工藝室側(cè)壁的相互作用，并將前驅(qū)體排除在腔室端口之外，從而提高前驅(qū)體利用率并延長(zhǎng)維護(hù)間隔。用于橢圓儀集成的分析端口是ALD150LX的標(biāo)準(zhǔn)功能（橢偏儀可選）?；模ㄖ睆竭_(dá) 150 mm）通過(guò)水平裝載口引入。一旦進(jìn)入內(nèi)部，垂直銷升機(jī)構(gòu)就用于通過(guò)拾取基板并將其直接放置在基板加熱器級(jí)的表面上來(lái)完成轉(zhuǎn)移。