PlasmaPro 80 RIE 反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE

1.產(chǎn)品概述：

 PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。

2.設(shè)備原理：

利用氣體放電產(chǎn)生的等離子體，在射頻電源的作用下，使氣體分子電離并形成離子，這些離子在電場(chǎng)的作用下加速并轟擊被刻蝕材料的表面，從而實(shí)現(xiàn)材料的去除。RIE技術(shù)的關(guān)鍵在于，刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生的化學(xué)反應(yīng)與物理轟擊相結(jié)合，既保證了刻蝕的均勻性，又提高了刻蝕的速率。

3.特色參數(shù)：

直開(kāi)式設(shè)計(jì)允許快速裝卸晶圓

出色的刻蝕控制和速率測(cè)定

出色的晶圓溫度均勻性

晶圓大可達(dá)200mm

購(gòu)置成本低

符合半導(dǎo)體行業(yè)S2/S8標(biāo)準(zhǔn)

小型系統(tǒng)——易于安置

優(yōu)化的電冷卻系統(tǒng)——襯底溫度控制

高導(dǎo)通的徑向（軸對(duì)稱(chēng)）抽氣結(jié)構(gòu) —— 確保能提升工藝均勻性和速率

增加<500毫的數(shù)據(jù)記錄功能—— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達(dá)到所要求的低真空度

關(guān)鍵部件容易觸及 ——系統(tǒng)維護(hù)變得直接簡(jiǎn)單

X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息處理能力， 并且可以實(shí)現(xiàn)更快更可重復(fù)的匹配

通過(guò)端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷 —— 故障診斷速度快

用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè) —— 在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法來(lái)確定非透明材料（如金屬）的邊界

用發(fā)射光譜（OES）實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè) —— 監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)