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Sputter-2000W 生產(chǎn)型 TGV TSV 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)

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鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司(簡稱:鵬城半導(dǎo)體),由哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場前沿的交叉點(diǎn),尋求創(chuàng)新yin/ling與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題,爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。


公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao duan精密制造,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。


公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整,有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì);還有來自工業(yè)界的高級(jí)裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì),他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。


公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳),具備*的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測設(shè)備平臺(tái),可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市,具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。




半導(dǎo)體材料,工藝和裝備的研發(fā)設(shè)計(jì),生產(chǎn)制造

生產(chǎn)型TGV/TSV高真空磁控濺射鍍膜機(jī)(Sputter-2000W系列)該設(shè)備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜,深徑比>10:1。例如:用于基板鍍膜工序Cu/Ti微結(jié)構(gòu),Au/TiW傳輸導(dǎo)線雙體系膜層淀積能力,為微系統(tǒng)集成密度提升提供支撐。



本設(shè)備優(yōu)點(diǎn):膜層均勻性及重復(fù)性高,膜層附著力強(qiáng),設(shè)備依據(jù)工藝配方進(jìn)行可編程自動(dòng)化控制。

設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)
-單鍍膜室、雙鍍膜室、多腔體鍍膜室

-臥式結(jié)構(gòu)、立式結(jié)構(gòu)

-線列式、團(tuán)簇式

-樣品傳遞:直線式、圓周式

-磁控濺射靶數(shù)量及類型:多支矩形磁控靶    

-磁控濺射靶:直流、射頻、中頻、高能脈沖兼容

-基片可加熱、可升降、可加偏壓        

-通入反應(yīng)氣體,可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜

-操作方式:手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)

-基片托架:根據(jù)基片尺寸配置

-基片幅面:2、4、6、8、10英寸及客戶zhi/ding尺寸

-進(jìn)/出樣室極限真空度:≤8X10-5Pa

-進(jìn)/出樣室工作背景真空度:≤2X10-3Pa

-鍍膜室的極限真空度:5X10-5Pa,

工作背景真空度:8X10-4Pa

-膜層均勻性:<5%(片內(nèi)),<5%(片間)

-設(shè)備總體漏放率:關(guān)機(jī)12小時(shí)真空度≤10Pa


工作條件


類型

參數(shù)

備注

供電~380V

三相五線制

功率根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置
冷卻水循環(huán)根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置
水壓1.0~1.5×105Pa
制冷量根據(jù)散熱量配置
水溫18~25℃
氣動(dòng)部件供氣壓力0.5MPa~0.7MPa
質(zhì)量流量控制器供氣壓力0.05MPa~0.2MPa
工作環(huán)境溫度10℃~40℃
工作環(huán)境濕度≤50%




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