詳細(xì)摘要：High purtiy WSe2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type doping.

詳細(xì)摘要：有序介孔碳-cmk-3 Ordered mesoporous carbon cmk-3
類型：bet1000
比表面積（平方米/克）：1000
孔徑（納米）：5.57
總孔體積（立方厘米/克）：3.90
微孔體積（立方厘米/克）：0.01
尺寸（微米）：0.5 - 5

詳細(xì)摘要：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.

詳細(xì)摘要：Superconductivity in monolayers. Currently, 2D aspect of this material remains largely unexplored.

詳細(xì)摘要：?jiǎn)伪谔技{米管-定制版（1kg） TUBALL Carbon Nanotubes
碳含量（wt.%）>96 （評(píng)價(jià)方法：TGA）
CNT（wt.%）：>85 （評(píng)價(jià)方法：TEM, TGA）
碳納米管的層數(shù)：1 （評(píng)價(jià)方法：TEM）
碳納米管的平均外徑（nm）：1.8±0.4

詳細(xì)摘要：Highly oriented pyrolytic graphite is a zerogap semiconductor with metallic like properties. Often times graphite also referred as semi-metallic since its conduction and valance bands overlap each oth

詳細(xì)摘要：制備方法: 酸性回流
成份：改性石墨烯量子點(diǎn)
外觀：棕黑色溶液
熒光色：藍(lán)色
熒光量子產(chǎn)率：10 ± 2%
粒徑：6 ± 3 nm
濃度：1mg/ml, 大值: 10 mg/ml
溶劑：水
電位：~+20mV
純度：>80%

詳細(xì)摘要：制備方法: 熱解法
成份：改性后的石墨烯量子點(diǎn)
外觀：粉狀
熒光色：藍(lán)色
熒光量子產(chǎn)率：10 ± 2%
粒徑：6 ± 3 nm
電位：~+20mV
純度：>80%

詳細(xì)摘要：Our MoWSe2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）Se2 crystals perfectly crystallize in 2H phase and come at different alloy ratios x.

詳細(xì)摘要：?jiǎn)伪谔技{米管-標(biāo)準(zhǔn)版 TUBALL Carbon Nanotubes
碳含量（wt.%）：>85 （評(píng)價(jià)方法：TGA, EDX）
CNT（wt.%）：≥75（評(píng)價(jià)方法：TEM, TGA）
碳納米管的層數(shù)：1-2 （評(píng)價(jià)方法：TEM）
碳納米管的平均外徑（nm）： 1.8±0.4 （評(píng)

詳細(xì)摘要：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.

詳細(xì)摘要：World record size single crystal SnSe? （Tin diselenide） crystals are developed at our facilities using state-of-art techniques.

詳細(xì)摘要：Bismuth Selenide （Bi?Se?） Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.

詳細(xì)摘要：三硒化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPSe3
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

詳細(xì)摘要：硒化鎢晶體（硫摻雜）（99.995%） WSSe
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

詳細(xì)摘要：二硒化鎢鈀晶體（99.995%） PdSe2
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

詳細(xì)摘要：硒化銦晶體（99.995%） InSe
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

詳細(xì)摘要：石墨納米顆粒 Graphite Nanoparticles
制備方法：球磨法
外觀：黑色
灰分含量：<0.5%
水含量：0.2%
形態(tài)：片狀
APS：D100<1000nm D50<400nm
厚度：40nm

詳細(xì)摘要：High purtiy graphite （HOPG） crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type doping. Crystal size measures ~1cm and larger in size and the product is ready for exfoliation

詳細(xì)摘要：分子量：840.78