供應(yīng)
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IMGQD-改性后的石墨烯量子點(diǎn) 詳細(xì)摘要:制備方法: 酸性回流
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
成份:改性石墨烯量子點(diǎn)
外觀:棕黑色溶液
熒光色:藍(lán)色
熒光量子產(chǎn)率:10 ± 2%
粒徑:6 ± 3 nm
濃度:1mg/ml, 大值: 10 mg/ml
溶劑:水
電位:~+20mV
純度:>80% -
IMGQDP-改性后的石墨烯量子點(diǎn)粉末 詳細(xì)摘要:制備方法: 熱解法
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
成份:改性后的石墨烯量子點(diǎn)
外觀:粉狀
熒光色:藍(lán)色
熒光量子產(chǎn)率:10 ± 2%
粒徑:6 ± 3 nm
電位:~+20mV
純度:>80% -
MoWSe2 二硒化鎢鉬晶體 詳細(xì)摘要:Our MoWSe2 alloys with the chemical formula MoxW(1-x)Se2 crystals perfectly crystallize in 2H phase and come at different alloy ratios x.
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言 -
Ocsial Material-單壁碳納米管-標(biāo)準(zhǔn)版 詳細(xì)摘要:單壁碳納米管-標(biāo)準(zhǔn)版 TUBALL Carbon Nanotubes
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
碳含量(wt.%):>85 (評(píng)價(jià)方法:TGA, EDX)
CNT(wt.%):≥75(評(píng)價(jià)方法:TEM, TGA)
碳納米管的層數(shù):1-2 (評(píng)價(jià)方法:TEM)
碳納米管的平均外徑(nm): 1.8±0.4 (評(píng) -
NbReSe2 Crystals 硒化錸鈮晶體 詳細(xì)摘要:Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言 -
SnSe2 二硒化錫晶體 (Tin diselenide) 詳細(xì)摘要:World record size single crystal SnSe? (Tin diselenide) crystals are developed at our facilities using state-of-art techniques.
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言 -
Bi2Se3 硒化鉍晶體-未摻雜 詳細(xì)摘要:Bismuth Selenide (Bi?Se?) Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言 -
三硒化錳(磷摻雜)晶體(百分之99.995) 詳細(xì)摘要:三硒化錳(磷摻雜)晶體(99.995%) MnPSe3
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2 -
硒化鎢晶體(硫摻雜)(百分之99.995) 詳細(xì)摘要:硒化鎢晶體(硫摻雜)(99.995%) WSSe
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2 -
二硒化鎢鈀晶體(百分之99.995) PdSe2 詳細(xì)摘要:二硒化鎢鈀晶體(99.995%) PdSe2
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2 -
硒化銦晶體(百分之99.995) InSe 詳細(xì)摘要:硒化銦晶體(99.995%) InSe
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2 -
ACSMaterial-石墨納米顆粒 詳細(xì)摘要:石墨納米顆粒 Graphite Nanoparticles
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
制備方法:球磨法
外觀:黑色
灰分含量:<0.5%
水含量:0.2%
形態(tài):片狀
APS:D100<1000nm D50<400nm
厚度:40nm -
2D Semiconductor-石墨(碘) 詳細(xì)摘要:High purtiy graphite (HOPG) crystals have been I2 (iodine) intercalated to achieve p-type doping. Crystal size measures ~1cm and larger in size and the product is ready for exfoliation
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言 -
SUNANO-富勒醇(羥基富勒烯) 詳細(xì)摘要:分子量:840.78
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言 -
SUNANO-富勒烯 C70-純度99 詳細(xì)摘要:純度:99%
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
分子量:840.78 -
SUNANO-富勒烯 C70-純度95 詳細(xì)摘要:純度:95%
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
分子量:840.78 -
SUNANO-富勒烯 C60-純度99.9 詳細(xì)摘要:純度:99.9%
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
分子量:720.67 -
SUNANO-富勒烯 C60-純度99.5 詳細(xì)摘要:純度:99.5%
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
分子量:720.67 -
SUNANO-富勒烯 C70-純度98 詳細(xì)摘要:純度:98%
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
分子量:840.78 -
SUNANO-富勒烯 C60-純度99 詳細(xì)摘要:純度:99%
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2024-09-19 在線留言
分子量:720.67