晶圓晶錠壽命測定儀是為晶圓晶錠測量少子壽命、光電導(dǎo)率、電阻率和樣品平整度及p/n檢查任務(wù)設(shè)計(jì)的晶圓晶錠少子壽命測試儀器。采用非接觸式檢測和無損成像（μPCD /MDP(QSS)）設(shè)計(jì)。
晶圓晶錠壽命測定儀應(yīng)用
單晶晶圓壽命，多晶晶圓壽命和晶錠壽命測量
適合硅,化合物半導(dǎo)體,氧化物,寬禁帶,鈣鈦礦材料
[ CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge ]

晶圓晶錠壽命測定儀規(guī)格參數(shù)
最佳產(chǎn)量：>240塊/天或>720片/天
測量速度：對于156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠，<4分鐘
良品率提升：1mm切割標(biāo)準(zhǔn)為156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠
質(zhì)量控制：用于過程和材料的質(zhì)量監(jiān)控，如單晶硅或多晶硅
沾污檢測：起源于坩堝和生產(chǎn)設(shè)備的金屬(Fe)
可靠性：模塊化和堅(jiān)固耐用的工業(yè)儀器，更高可靠性，運(yùn)行時間> 99%
可重復(fù)性:> 99.5%
電阻率：可做面掃描，不需經(jīng)常校準(zhǔn)