晶圓殘余應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)SIRD是為晶圓應(yīng)力測(cè)試設(shè)計(jì)的晶圓殘余應(yīng)力檢測(cè)儀器,可以在對(duì)檢測(cè)波長透明的材料（例如硅）中產(chǎn)生可見應(yīng)力。這里使用了應(yīng)力引起的雙折射效應(yīng)：缺陷和材料不均勻性通常伴隨著應(yīng)力場(chǎng)，其空間擴(kuò)展比原因本身大幾倍，如果材料暴露在剪切應(yīng)力下，其折射率將變?yōu)楦飨虍愋?，材料將變?yōu)殡p折射。因此，入射的線偏振光（激光）在透射或反射時(shí)會(huì)被樣品去極化。因此，得到的去極化圖可以解釋為剪切應(yīng)力分布。
晶圓殘余應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)特點(diǎn)
S工作方式與唱機(jī)類似：晶圓在轉(zhuǎn)盤上旋轉(zhuǎn)，并在半徑方向上間歇或連續(xù)（螺旋模式）移動(dòng)
按照預(yù)設(shè)的測(cè)量協(xié)議記錄數(shù)據(jù)；最小和最大半徑均可自由選擇
測(cè)量時(shí)間由選定的橫向分辨率決定(≥50µm）和掃描速度（最大約1 cm2s?1)
最重要的測(cè)量結(jié)果以去極化和透射圖的形式呈現(xiàn)
晶圓殘余應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)應(yīng)用背景
殘余應(yīng)力狀態(tài)是一種“指紋"，可以洞察材料或部件的形成或使用。例如，為了識(shí)別半導(dǎo)體襯底和組件結(jié)構(gòu)上的局部應(yīng)力狀態(tài)和缺陷，或者根據(jù)應(yīng)力狀態(tài)和缺陷分布信息優(yōu)化生產(chǎn)工藝，它們的分析是不可少的。