四探針?lè)綁K電阻測(cè)量?jī)x是為Sheet Resistivity薄層電阻率測(cè)量設(shè)計(jì)的四點(diǎn)探針電阻測(cè)量?jī)x器,滿足各種材料的薄層電阻率測(cè)量,包括IV族半導(dǎo)體、金屬和化合物半導(dǎo)體，以及平板顯示器和硬盤中發(fā)現(xiàn)的新材料。
四探針?lè)綁K電阻測(cè)量?jī)x使用兩個(gè)電流供應(yīng)和兩個(gè)電壓傳感探針，在各種材料上提供高度準(zhǔn)確和可重復(fù)的薄層電阻率和厚度測(cè)量。該四探針?lè)綁K電阻測(cè)量?jī)x具有用戶友*的“一鍵式"操作和自動(dòng)校準(zhǔn)功能。能夠在90秒內(nèi)測(cè)量50個(gè)位置，測(cè)量范圍從1mΩ/sq到800kΩ/sq，***高可達(dá)8E11Ω/sq。
應(yīng)用
P/N型式試驗(yàn)，硅襯底，Epi層，SOI，離子注入劑量和均勻性，多晶硅電阻率和厚度，金屬沉積監(jiān)測(cè)儀，硅化物工藝監(jiān)測(cè)器，離子注入擴(kuò)散，Poly gate過(guò)程監(jiān)控器，ITO，金屬，多晶硅、a-Si
四探針?lè)綁K電阻測(cè)量?jī)x規(guī)格參數(shù)
適用晶片尺寸：50、75、100、125、200 mm
測(cè)試直徑：距離晶圓邊緣不超過(guò)3mm
測(cè)量范圍：1mΩ/sq。至800kΩ/平方。或8E9Ω/平方。
測(cè)量單位：Ω/平方。，Ω-cm，V/I，μ[T]，?[T]
測(cè)量重復(fù)精度：<0.2%（典型）
快速檢查：1、5、9個(gè)站點(diǎn)|5、6、9、10、13個(gè)站點(diǎn)ASTM/SEMI|X-圖案或自定義站點(diǎn)
笛卡爾映射：任何站點(diǎn)間隔≥0.1 mm，***多6000個(gè)站點(diǎn)
電子精度：＜0.1%（精密電阻器）
當(dāng)前分辨率：16位A/D
測(cè)量符合電壓：125V