等離子刻蝕ICP 返回列表頁(yè)

系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應(yīng)室還可以用于去除光刻膠和有機(jī)材料?？蛇x配靜電吸盤(E-chuck)，以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器，及在基片背面保持一個(gè)氦冷卻層，從而達(dá)到控制基片溫度的作用。
該設(shè)備可選配一個(gè)電感耦合等離子(ICP)源，其使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。
基片通過(guò)預(yù)真空室裝入。其避免與工藝室以及任意殘余刻蝕副產(chǎn)品接觸，從而提高了用戶安全性。預(yù)真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而隔絕外部濕氣，防止反應(yīng)室內(nèi)可能發(fā)生的腐蝕。