Bi晶體，拓?fù)浣^緣體性質(zhì)分類：拓?fù)浣^緣體合成方法：CVT用途：僅用于科研，不能用于人體

AgTaS3晶體，拓?fù)浣^緣體性質(zhì)分類：拓?fù)浣^緣體合成方法：CVT晶體結(jié)構(gòu)：monoclinic剝離難易程度：易用途：僅用于科研，不能用于人體

Ag3Sb晶體，CVT，單斜晶系A(chǔ)g3Sb晶體是拓?fù)浣^緣體。晶體按其結(jié)構(gòu)粒子和作用力的不同可分為四類：離子晶體、原子晶體、分子晶體和金屬晶體。

天然單晶石墨，Nature Graphite Crystal天然石墨是一種金屬。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起，并且可以剝離成薄的 2D 層。天然晶體的典型...

碳化硅納米晶須，SiC Nanocrystals碳化硅納米晶須可應(yīng)用于電子、信息、精密加工技術(shù)、軍工，航天航空、高溫耐火材料、特種陶瓷材料、高級(jí)磨削材料和增強(qiáng)增...

晶須碳納米管，Whisker carbon nanotubes晶須碳納米管還具有電解液吸附能力，是動(dòng)力鋰離子電池正負(fù)極材料的重要添加劑。

鈣鈦礦微晶，Cs2ZrxSnyCl6:Te 鈣鈦礦微晶（Cs2ZrxSnyCl6:Te )又稱 Perovskite microcrystal，可用于顯示照明L...

碘化鉻單晶，CrI3 Single crystalCrI3極易與空氣、水等媒介發(fā)生反應(yīng)，為大程度保持其原有特性，請(qǐng)盡量在使用過程中少接觸空氣與水。建議全程惰性氣...

錳磷硫單晶，MnPS3 Single crystalMnPS3在78 K以下表現(xiàn)為反鐵磁性，插層化合物表現(xiàn)為弱鐵磁性，這可能是由于其具有傾斜的自旋結(jié)構(gòu)。

錳磷硒單晶，MnPSe3 Single crystal錳磷硒單晶（MnPSe3 Single crystal），是磁性半導(dǎo)體，可用于電子器件實(shí)驗(yàn)，物理性能研究等...

鉻磷硫單晶，CrPS4 Single crystal具有整齊規(guī)則的幾何外形、固定熔點(diǎn)和各向異性的固態(tài)物質(zhì)，是物質(zhì)存在的一種基本形式。固態(tài)物質(zhì)是否為晶體，一般可由...

鎳磷硫單晶，NiPS3 Single crystal層狀過渡金屬三鹵化物NiPS3是一種范德華反鐵磁體，其存在強(qiáng)烈的電荷-自旋耦合。NiPS3在磁有序溫度下顯示...

鈷磷硫單晶，CoPS3 Single crystal鈷磷硫單晶（CoPS3 Single crystal）是磁性半導(dǎo)體，可用于電子器件實(shí)驗(yàn)，物理性能研究等。

鐵磷硫單晶，F(xiàn)ePS3 Single crystalFePS3 (鐵磷硫)是具有單斜晶體結(jié)構(gòu)磁性半導(dǎo)體，材料的光禁帶為1-1.5eV。有研究采用FePS3作為全...

PEG化磁性錳鋅鐵氧體納米晶，cas1317-61-9PEG化磁性錳鋅鐵氧體納米晶可用于生物分子偶聯(lián)、固定、納米探針構(gòu)建等。

錳鋅鐵氧體納米晶，cas1317-61-9磁性錳鋅鐵氧體納米結(jié)構(gòu)具有均一的尺寸、規(guī)則的形貌、高的磁性和交流磁熱效應(yīng)、良好的生物相容性、高的靶向性和體內(nèi)長循環(huán)能力...

石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31，GFET-S31GFET-S31以網(wǎng)格模式分布在芯片上。所有器件都具有3探頭幾何形狀，利用高K金屬柵極 （HKMG）工藝流程提供E...

石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S20，GFET S-20GFET S-20 芯片專為液體介質(zhì)中的測量而設(shè)計(jì)。提供 12 個(gè)石墨烯器件，封裝在金屬焊盤上以避免退化并減少泄...

石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S10，GFET-S10GFET-S10芯片提供36個(gè)石墨烯器件，以網(wǎng)格模式分布在芯片上。30 個(gè)器件具有霍爾棒幾何形狀，6個(gè)器件具有2探...

二硫化鉬晶體摻雜鈮元素，cas1317-33-5二硫化鉬（MoS2）晶體摻雜鈮（Nb）元素是一種常見的方法，用于改變MoS2的性質(zhì)和特性。摻雜是指在材料中引入其...