MnBi4Te7晶體，磁性拓撲絕緣體MnBi4Te7是一種由錳（Mn）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。這種化合物屬于多鐵...

MnBi4Se7晶體，磁性拓撲絕緣體MnBi4Se7是一種由錳（Mn）、鉍（Bi）和硒（Se）元素組成的化合物，通常呈現(xiàn)出層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。這種化合物屬于多鐵...

Mn2Bi2Te5晶體，磁性拓撲絕緣體Mn2Bi2Te5是一種由錳（Mn）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，也屬于層狀熱電材料的一種。類似于Mn2Bi2...

Mn2Bi2Se5晶體，磁性拓撲絕緣體Mn2Bi2Se5是一種多元化合物，由錳（Mn）、鉍（Bi）和硒（Se）元素組成，屬于層狀熱電材料的一種。它擁有拓撲絕緣體...

InSiTe3晶體，半導(dǎo)體InSiTe3代表一種由銦（In）、硅（Si）和碲（Te）元素組成的化合物。這種化合物屬于層狀化合物，具有晶體結(jié)構(gòu)。InSiTe3是一...

InSb晶體，拓撲絕緣體InSb是一種重要的半導(dǎo)體材料，由銦（In）和銻（Sb）元素組成。它擁有銻化銦的晶體結(jié)構(gòu)，屬于III-V族化合物半導(dǎo)體。InSb在電子學(xué)...

InBi晶體，拓撲絕緣體InBi是銦鉍化合物，是由銦（In）和鉍（Bi）元素組成的化合物。它通常是一種半導(dǎo)體材料，具有晶體結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)。拓撲絕緣體是一種量子材...

In3SbTe2晶體，相變材料In3SbTe2是由銦（In）、銻（Sb）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于銦銻碲族化合物。這種化合物可能具有層狀的結(jié)構(gòu)，并且可能...

In2Te5晶體，拓撲材料In2Te5是由銦（In）和碲（Te）元素組成的化合物，具有層狀結(jié)構(gòu)。這種化合物可能顯示出一些電學(xué)、光學(xué)或磁學(xué)性質(zhì)，因其層狀結(jié)構(gòu)，可能...

In2P3Se9晶體，拓撲材料In2P3Se9是一種由銦（In）、磷（P）和硒（Se）元素組成的化合物。In2P3Se9可能具有晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，可能在半導(dǎo)體領(lǐng)域...

In2GaBi2S6晶體，拓撲材料In2GaBi2S6是由銦（In）、鎵（Ga）、鉍（Bi）和硫（S）元素組成的化合物。這種化合物可能具有晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。由于其...

HgPSe3晶體，拓撲絕緣體HgPSe3代表的是由汞（Mercury，Hg）、磷（Phosphorus，P）和硒（Selenium，Se）元素組成的化合物。這種...

HfS3晶體，拓撲絕緣體HfS3代表的是由鉿（Hafnium，Hf）和硫（Sulfur，S）元素組成的化合物。它可能具有層狀的結(jié)構(gòu)，類似于其他硫化物和層狀材料。

GeSb4Te7晶體，拓撲絕緣體GeSb4Te7是一種由鍺（Ge）、銻（Sb）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于銻碲族化合物。這種化合物屬于相變材料，具有重要的...

GeBi4Te7晶體，拓撲絕緣體GeBi4Te7是一種由鍺（Ge）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于鉍碲族化合物。這種化合物在研究中顯示出多鐵性質(zhì)，...

GeBi2Te4晶體，拓撲絕緣體，紅外材料GeBi2Te4是一種由鍺（Ge）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于鉍碲族化合物。這種化合物屬于拓撲絕緣體...

GaGeTe晶體，拓撲絕緣體，半導(dǎo)體GaGeTe是由鎵（Ga）、鍺（Ge）和碲（Te）元素組成的化合物。這種化合物可能具有半導(dǎo)體或者拓撲絕緣體的性質(zhì)，具體取決于...

CuInS2晶體，拓撲材料CuInS2是一種由銅（Cu）、銦（In）和硫（S）元素組成的化合物，屬于硫化物材料。這種化合物具有半導(dǎo)體性質(zhì)，通常呈現(xiàn)為多晶體或薄膜...

CuInP2Se6晶體，拓撲材料，半導(dǎo)體CuInP2Se6是一種由銅（Cu）、銦（In）、磷（P）、硒（Se）元素組成的化合物，通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。這...

CuBi3PbS6晶體，拓撲絕緣體CuBi3PbS6是一種由銅（Cu）、鉍（Bi）、鉛（Pb）和硫（S）元素組成的化合物，通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。這種化合...