2.5-6.5um MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列 參考價(jià)：面議
2.5-6.5um MCT碲鎘汞中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列PVI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒(méi)的方式提高器件的性能參...
3μm MCT 中紅外非制冷光電探測(cè)器 2.5-6.5μm HgCdTe 參考價(jià)：面議
3μm MCT 中紅外非制冷光電探測(cè)器 2.5-6.5μm HgCdTePV系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。...
美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞...
美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應(yīng)度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１...
美國(guó)EOT - 硅光電探測(cè)器 >118 MHz 參考價(jià)：面議
美國(guó)EOT - 硅光電探測(cè)器 118 MHz：材料：Silicon 上升／下降時(shí)間：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ； 響應(yīng)度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１１８Ｍ...
美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 >2 GHz 參考價(jià)：面議
美國(guó)EOTInGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 2 GHz：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶...
2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管探測(cè)器 參考價(jià)：面議
2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管探測(cè)器：峰值波長(zhǎng)（典型）： 2.0 ± 0.1um 截止波長(zhǎng) (50%): 2.2 ± 0.1um 響...
Ge大光敏面鍺光電二極管 參考價(jià)：面議
Ge大光敏面鍺光電二極管 800-1800nm 直徑 5mm雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長(zhǎng)范圍...
InGaAs雪崩光電平衡探測(cè)器 參考價(jià)：面議
InGaAs雪崩光電平衡探測(cè)器 光譜響應(yīng) 800-1700nm集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度控制；隔離電...
相干接收模塊 集成光電平衡探測(cè)器InGaAs 參考價(jià)：面議
相干接收模塊 集成光電平衡探測(cè)器InGaAs ,光纖耦合器800-1700nm內(nèi)部集成了高速低噪聲模擬光電平衡探測(cè)器以及高品質(zhì)光纖耦合器。制作過(guò)程對(duì)耦合器分光比...
偏振分集相干接收模塊InGaAs平衡探測(cè)器 參考價(jià)：面議
偏振分集相干接收模塊InGaAs平衡探測(cè)器1510-1590nm是針對(duì)偏振敏感的光纖傳感應(yīng)用。該偏振分集接收模塊將本振光與信號(hào)光的兩個(gè)偏振態(tài)進(jìn)行分別相干，采用兩...
InGaAs增益可調(diào)平衡探測(cè)器 參考價(jià)：面議
InGaAs增益可調(diào)平衡探測(cè)器 ,光譜相應(yīng) 800-1700nm通過(guò)軟件方便快捷調(diào)節(jié)增益，增益調(diào)節(jié)范圍高達(dá)31dB，最大增益高達(dá)60KV/A。在增益調(diào)節(jié)過(guò)程中，...
100KHz 碲鎘汞 MCT中紅外探測(cè)器 3-10um 高重復(fù)頻率激光系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
100KHz 碲鎘汞 MCT中紅外探測(cè)器 3-10um 高重復(fù)頻率激光系統(tǒng)產(chǎn)品應(yīng)用● 中紅外TDLAS氣體測(cè)量系統(tǒng)● 二維紅外光譜● 時(shí)間分辨紅外光譜● 二維電...
Ge 鍺光電二極管探測(cè)器 800-1800nm 參考價(jià)：面議
Ge 鍺光電二極管探測(cè)器 800-1800nm 產(chǎn)品應(yīng)用● 功率測(cè)試● 光纖傳感● 測(cè)試測(cè)量
2mm大光敏面InGaSe光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
2mm大光敏面InGaSe光電探測(cè)器是一個(gè)全色PIN光電二極管，截止波長(zhǎng)高達(dá)2700nm。它使用的是InGaAs材料，三元化合物半導(dǎo)體InGaAs材料用于制作各...
InGaAs超低噪聲模擬PIN探測(cè)器 參考價(jià)：面議
InGaAs超低噪聲模擬PIN探測(cè)器,銦鎵砷單元探測(cè)器,集成寬帶跨阻放大器,超低噪聲電源集成了兩個(gè)匹配的超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪...
MCT光伏探測(cè)模塊 2-12μm 參考價(jià)：面議
10.6μm中紅外通用光浸式MCT光伏探測(cè)模塊 2-12μm是基于MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光浸沒(méi)光伏探測(cè)器，集成了跨阻、可編程前置放大器。3 °楔形硒化鋅增透...
超高速M(fèi)CT光浸式紅外光伏探測(cè)模塊 參考價(jià)：面議
超高速M(fèi)CT光浸式紅外光伏探測(cè)模塊 3.0 - 12.0 μm是基于MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒(méi)式光伏探測(cè)器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、交流耦合前置放大器、風(fēng)...
MCT光伏探測(cè)模塊3-7.5μm 參考價(jià)：面議
6μm中紅外通用光浸式MCT光伏探測(cè)模塊3-7.5μm是基于MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光浸沒(méi)光伏探測(cè)器，集成了跨阻、可編程前置放大器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗...
8mm大光敏面硅（Si）硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
8mm大光敏面硅（Si）硅光電探測(cè)器在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm 參考價(jià)：面議
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm。大光敏面，高速響應(yīng)，高增益，低噪聲。
亞太赫茲超快探測(cè)器ULTRAFAST 參考價(jià)：面議
亞太赫茲超快探測(cè)器ULTRAFAST總覽TeraSense的超快探測(cè)器ULTRAFAST，通過(guò)直接觀察其脈沖響應(yīng)函數(shù)證實(shí)響應(yīng)時(shí)間小于150 ps。用廣譜范圍為0...
中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe探測(cè)器 參考價(jià)：面議
中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe探測(cè)器是一種熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞，MCT)探測(cè)器。這種材料對(duì)2.0到15 μm的中紅外光譜波段光波敏感。中紅外熱電...
MCT兩級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 參考價(jià)：面議
1-15μm中紅外光浸沒(méi)式MCT兩級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-2TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒(méi)來(lái)提高器件的性...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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