“碳化硅的電子遷移率是900，碳化硅MOSFET的溝道遷移率是50，體遷移率是1000" 看到這樣的介紹，或許你非常疑惑，為什么同一種材料中有這么多的遷移率？我們?cè)诼犞v座或者看相關(guān)文獻(xiàn)的時(shí)候，也經(jīng)常會(huì)遇到不同的遷移率：霍爾遷移率，漂移遷移率，溝道遷移率，體遷移率等等。這里，就讓我來為大家具體分析一下這些不同的遷移率。大體上來說，遷移率的概念可以分為三種：1. 最基礎(chǔ)的遷移率定義（microscopic mobility）; 2. 體材料里的遷移率（根據(jù)不同的測(cè)試方法得出不同的遷移率名稱）； 3. 晶體管中的遷移率。