北京瑞科中儀科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第1年

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  • 化學(xué)氣相沉積

    簡(jiǎn)要描述:化學(xué)氣相沉積為一種薄膜沉積方法,其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中,在基板表面上反應(yīng)或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:13:57 對(duì)比
    化學(xué)氣相沉積
  • PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200

    簡(jiǎn)要描述:PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì),PECVD Depolab 200可升級(jí)為更大的真空泵組,低頻射頻源和更多的氣路。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:12:09 對(duì)比
    PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200
  • 帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備SI 500 PPD

    簡(jiǎn)要描述:帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備SI 500 PPD的特色是預(yù)真空室和干泵裝置,用于無(wú)油、高產(chǎn)量和潔凈的化學(xué)氣相沉積過(guò)程。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:10:33 對(duì)比
    帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備SI 500 PPD
  • 等離子沉積設(shè)備SI 500 D

    簡(jiǎn)要描述:等離子沉積設(shè)備SI 500 D低刻蝕速率,高擊穿電壓,低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100#176;C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度,使得所沉積的薄膜具有優(yōu)...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:08:31 對(duì)比
    等離子沉積設(shè)備SI 500 D
  • 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)氣相...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:06:08 對(duì)比
    化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
  • 沉積系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:三到六個(gè)端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機(jī)、RIE刻蝕機(jī)、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備,以滿(mǎn)足研發(fā)的要求。樣品可以通過(guò)預(yù)真...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:03:50 對(duì)比
    沉積系統(tǒng)
  • SENTECH二維材料刻蝕沉積

    簡(jiǎn)要描述:SENTECH二維材料刻蝕沉積能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層,在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體,而不受紫外線(xiàn)輻射或離子轟擊...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:01:36 對(duì)比
    SENTECH二維材料刻蝕沉積SENTECH二維材料刻蝕
  • 原子層沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:原子層沉積設(shè)備:真遠(yuǎn)程等離子體源能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層,在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體,而不受紫外線(xiàn)輻射或離子轟...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 8:59:58 對(duì)比
    原子層沉積設(shè)備
  • PECVD等離子沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:PECVD等離子沉積設(shè)備Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備,它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 8:58:04 對(duì)比
    PECVD等離子沉積設(shè)備
  • 帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 8:56:24 對(duì)比
    帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備
  • 等離子沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:等離子沉積設(shè)備低刻蝕速率,高擊穿電壓,低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100#176;C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度,使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 8:54:11 對(duì)比
    等離子沉積設(shè)備

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