北京瑞科中儀科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第2年

18210898984

  • 批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備為一種使用化學(xué)氣相沉積技術(shù),可為沉積反應(yīng)提供能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比,可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會(huì)降低薄膜質(zhì)量。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:24:54 對(duì)比
    批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備
  • FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

    簡(jiǎn)要描述:FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積:隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加,其制造設(shè)備也變得更大,需要越來越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:22:32 對(duì)比
    FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積
  • 感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用ICP的化學(xué)氣相沉積技術(shù),可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與PECVD方法相比,ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:20:27 對(duì)比
    感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備化學(xué)氣相沉積設(shè)備
  • 低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù),利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:18:45 對(duì)比
    低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
  • 電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用電漿的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比,PECVD可以在較低的溫度下沉...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:16:23 對(duì)比
    電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備
  • 化學(xué)氣相沉積

    簡(jiǎn)要描述:化學(xué)氣相沉積為一種薄膜沉積方法,其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中,在基板表面上反應(yīng)或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:13:57 對(duì)比
    化學(xué)氣相沉積
  • PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200

    簡(jiǎn)要描述:PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì),PECVD Depolab 200可升級(jí)為更大的真空泵組,低頻射頻源和更多的氣路。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:12:09 對(duì)比
    PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200
  • 帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備SI 500 PPD

    簡(jiǎn)要描述:帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備SI 500 PPD的特色是預(yù)真空室和干泵裝置,用于無油、高產(chǎn)量和潔凈的化學(xué)氣相沉積過程。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:10:33 對(duì)比
    帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備SI 500 PPD
  • 等離子沉積設(shè)備SI 500 D

    簡(jiǎn)要描述:等離子沉積設(shè)備SI 500 D低刻蝕速率,高擊穿電壓,低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100#176;C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度,使得所沉積的薄膜具有優(yōu)...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:08:31 對(duì)比
    等離子沉積設(shè)備SI 500 D
  • 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)氣相...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:06:08 對(duì)比
    化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
  • 沉積系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:三到六個(gè)端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機(jī)、RIE刻蝕機(jī)、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備,以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過預(yù)真...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:03:50 對(duì)比
    沉積系統(tǒng)
  • SENTECH二維材料刻蝕沉積

    簡(jiǎn)要描述:SENTECH二維材料刻蝕沉積能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層,在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體,而不受紫外線輻射或離子轟擊...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:01:36 對(duì)比
    SENTECH二維材料刻蝕沉積SENTECH二維材料刻蝕
  • 原子層沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:原子層沉積設(shè)備:真遠(yuǎn)程等離子體源能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層,在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體,而不受紫外線輻射或離子轟...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 8:59:58 對(duì)比
    原子層沉積設(shè)備
  • PECVD等離子沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:PECVD等離子沉積設(shè)備Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備,它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 8:58:04 對(duì)比
    PECVD等離子沉積設(shè)備
  • 帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 8:56:24 對(duì)比
    帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備
  • X射線探傷機(jī)2

    簡(jiǎn)要描述:X射線探傷機(jī)2公司制造X射線工業(yè)設(shè)備用于控制產(chǎn)品質(zhì)量,如應(yīng)用于汽車、航空和食品等部門。此外,公司制造的X射線設(shè)備也應(yīng)用于醫(yī)療和安全部門。每個(gè)產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 8:51:52 對(duì)比
    X射線探傷機(jī)2
  • X射線探傷機(jī)

    簡(jiǎn)要描述:X射線探傷機(jī)X 射線工業(yè)設(shè)備用于控制產(chǎn)品質(zhì)量,如應(yīng)用于汽車、航空航天、管件、研究所和食品等不同行業(yè)。此外,制造的 X 射線設(shè)備也應(yīng)用于醫(yī)療和安檢部門。...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 8:50:12 對(duì)比
    X射線探傷機(jī)
  • 激光掃描圖形檢測(cè)系統(tǒng)

    激光掃描圖形檢測(cè)系統(tǒng)簡(jiǎn)要描述:激光掃描系統(tǒng)該儀器被設(shè)計(jì)用于工藝和材料的質(zhì)量監(jiān)控,例如單晶或多晶硅。多晶硅磚切割標(biāo)準(zhǔn)的自動(dòng)輸出。能夠根據(jù)爐子的輸出質(zhì)量進(jìn)行單獨(dú)的爐...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/9 14:53:13 對(duì)比
    激光掃描圖形激光檢測(cè)激光掃描

會(huì)員登錄

×

請(qǐng)輸入賬號(hào)

請(qǐng)輸入密碼

=

請(qǐng)輸驗(yàn)證碼

收藏該商鋪

X
該信息已收藏!
標(biāo)簽:
保存成功

(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)

常用:

提示

X
您的留言已提交成功!我們將在第一時(shí)間回復(fù)您~
撥打電話
在線留言