KRi 霍爾離子源典型應(yīng)用濺鍍鍍膜預(yù)清潔工藝 Pre-clean

KRi 霍爾離子源典型應(yīng)用濺鍍鍍膜預(yù)清潔工藝 Pre-clean
上海伯東美國(guó) KRi 霍爾離子源 EH 400F 成功應(yīng)用于 6寸硅片電源管理集成電路芯片 PMIC 濺鍍鍍膜前預(yù)清潔工藝 Pre-clean.

電源管理集成電路芯片鍍膜時(shí)常用的材料, 例如: 鈮酸鋰 LiNbO3 , 鈦酸鋇 BaTi03 , 鋯鈦酸鉛 PTZ, 氧化鋅 ZnO , 氮化鋁 AiN … 膜層與硅片會(huì)有脫膜及電性阻抗問題. 美國(guó) KRI 霍爾離子源有廣角的涵蓋面積 >45?, 及高解離率獲得高密度的離子濃度, 在電源管理集成電路芯片 PMIC  的壓電材料鍍膜前有效的將硅片做清潔及平整化處理, 提高膜層的附著力及提高生產(chǎn)良率.

電源管理集成電路芯片 PMIC 濺鍍鍍膜前預(yù)清潔工藝
設(shè)備: 5只靶材復(fù)合性濺鍍機(jī)
基材: 6 存硅片
真空系統(tǒng): 上海伯東美國(guó) HVA 高真空插板閥 + 伯東 Pfeiffer 全磁浮分子泵
KRi 霍爾離子源: EH 400F
預(yù)清潔工藝離子源條件: Vd:120V (離子束陽(yáng)極電壓), Id:3.5A (離子束陽(yáng)極電流), Ar gas: 20sccm (氬氣).


腔體中 KRi 霍爾離子源 EH 400 本體, 工作條件: Vd:120V, Id:3.5A, Ar:20sccm

上海伯東美國(guó) KRi 霍爾源可依客戶鍍膜機(jī)尺寸, 基材尺寸, 工藝條件選擇適合型號(hào)

F = Filament; HC = Hollow Cathode;

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