石墨烯（Graphene）自2004年發(fā)現(xiàn)以來，在短短數(shù)年間已經(jīng)成為凝聚態(tài)物理、化學、材料科學等領域研究中倍受矚目的“明星材料”。
化學氣相沉積（CVD）是目前制備石墨烯的zui有效、也是研究價值的方法。搭建一套完整而高效的石墨烯化學氣相沉積系統(tǒng)并非易事，即使在系統(tǒng)搭建完成后，要真正制備出單層石墨烯，還需要較長時間的參數(shù)優(yōu)化。這往往使得科研人員錯過了*的研究時機。
G－CVD石墨烯化學氣相沉積系統(tǒng)由廈門烯成新材料科技有限公司與國內(nèi)*石墨烯研究機構合作開發(fā)，提供完整的石墨烯生長系統(tǒng)，同時提供石墨烯轉移及測試的解決方案。G-CVD系統(tǒng)兼容真空及常壓兩種主流的生長模式，采用計算機自動控制，系統(tǒng)內(nèi)置了多種制備石墨烯的生長參數(shù)，用戶只需簡單操作，就可以輕松的制備出高質量的石墨烯。采用該系統(tǒng)，可以制備出毫米尺寸的石墨烯大單晶，也可以制備出數(shù)十厘米尺寸的石墨烯連續(xù)薄膜，還能生長13C同位素石墨烯。將為科研人員提供大量的研究機會，以及為實現(xiàn)各種科學想法創(chuàng)造了條件。
主要特點：
兼容真空及常壓兩種主流的生長模式
G-CVD系統(tǒng)是一套完備的石墨烯制備系統(tǒng)，包括硬件和軟件部分。工作在常壓氣氛或真空條件，通過控制，可以在10-3 Torr ~ 760 Torr之間的任意氣壓下進行石墨烯的生長。既可以生長出六邊形的石墨烯單晶，也可以生長出花瓣狀的石墨烯的單晶。
計算機自動控制，內(nèi)置多種生長參數(shù)
整個石墨烯生長過程的重要參數(shù)由計算機進行精確控制，包括溫度、氣體流量等?？刂栖浖?nèi)置多種生長優(yōu)化參數(shù)，用戶僅需將襯底放入樣品腔，即可開始生長。
制備高質量石墨烯單晶，單晶尺寸可達數(shù)毫米
采用特殊優(yōu)化的生長條件，可以得到尺寸達數(shù)毫米的單疇單晶。在多晶薄膜方面，可以制備得到數(shù)十厘米尺寸的單層石墨烯薄膜。
生長13C同位素石墨烯，研究石墨烯生長動力學過程
G-CVD系統(tǒng)有13C同位素選項，交替生長不同同位素石墨烯， 用于研究石墨烯生長的動力學過程。
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