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G-CVD石墨烯化學(xué)氣相沉積制備系統(tǒng) （Graphene CVD）

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 廈門烯成新材料科技有限公司
  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2016/8/10 21:43:22
  • 訪問(wèn)次數(shù) 1641

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     廈門烯成新材料科技有限公司是國(guó)內(nèi)從事石墨烯制備設(shè)備、及石墨烯產(chǎn)品應(yīng)用開(kāi)發(fā)研究的高科技企業(yè)。其核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)為中科院物理所5名博士。 


 

    公司主營(yíng)業(yè)務(wù)G-CVD化學(xué)氣相沉積制備系統(tǒng)的生產(chǎn)研發(fā)，以及石墨烯應(yīng)用相關(guān)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。G-CVD化學(xué)氣相沉積制備系統(tǒng)生產(chǎn)出的石墨烯薄膜現(xiàn)已被應(yīng)用在石墨烯電容觸摸屏(OGS) 上，替代ITO。相對(duì)于ITO，石墨烯薄膜在成本上有*的優(yōu)勢(shì)，并且能簡(jiǎn)化制造工藝。烯成公司已掌握全部包括生長(zhǎng)、轉(zhuǎn)移、摻雜、激光直寫等核心技術(shù)。 

 

    石墨烯的應(yīng)用前景廣闊，在高性能復(fù)合材料、顯示材料和傳感材料等精密電子功能材料以及在超級(jí)電容器、電池等新能源材料等方面都被高度關(guān)注。安德列．海姆博士和康斯坦?。Z沃肖洛夫博士及其團(tuán)隊(duì)在2004年發(fā)現(xiàn)了石墨烯，因此而共同獲得2010年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。 

 

    烯成公司可應(yīng)您的要求提供定制G-CVD化學(xué)氣相沉積制備系統(tǒng)，并提供生長(zhǎng)技術(shù)培訓(xùn)。

 

G-CVD石墨烯化學(xué)氣相沉積制備系統(tǒng)

 　　石墨烯（Graphene）自2004年發(fā)現(xiàn)以來(lái)，在短短數(shù)年間已經(jīng)成為凝聚態(tài)物理、化學(xué)、材料科學(xué)等領(lǐng)域研究中倍受矚目的“明星材料”。

　　化學(xué)氣相沉積（CVD）是目前制備石墨烯的zui有效、也是研究?jī)r(jià)值的方法。搭建一套完整而高效的石墨烯化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)并非易事，即使在系統(tǒng)搭建完成后，要真正制備出單層石墨烯，還需要較長(zhǎng)時(shí)間的參數(shù)優(yōu)化。這往往使得科研人員錯(cuò)過(guò)了*的研究時(shí)機(jī)。
　　G－CVD石墨烯化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)由廈門烯成新材料科技有限公司與國(guó)內(nèi)*石墨烯研究機(jī)構(gòu)合作開(kāi)發(fā)，提供完整的石墨烯生長(zhǎng)系統(tǒng)，同時(shí)提供石墨烯轉(zhuǎn)移及測(cè)試的解決方案。G-CVD系統(tǒng)兼容真空及常壓兩種主流的生長(zhǎng)模式，采用計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制，系統(tǒng)內(nèi)置了多種制備石墨烯的生長(zhǎng)參數(shù)，用戶只需簡(jiǎn)單操作，就可以輕松的制備出高質(zhì)量的石墨烯。采用該系統(tǒng)，可以制備出毫米尺寸的石墨烯大單晶，也可以制備出數(shù)十厘米尺寸的石墨烯連續(xù)薄膜，還能生長(zhǎng)13C同位素石墨烯。將為科研人員提供大量的研究機(jī)會(huì)，以及為實(shí)現(xiàn)各種科學(xué)想法創(chuàng)造了條件。
 
 
主要特點(diǎn)：
 
兼容真空及常壓兩種主流的生長(zhǎng)模式
　　G-CVD系統(tǒng)是一套完備的石墨烯制備系統(tǒng)，包括硬件和軟件部分。工作在常壓氣氛或真空條件，通過(guò)控制，可以在10-3 Torr ~ 760 Torr之間的任意氣壓下進(jìn)行石墨烯的生長(zhǎng)。既可以生長(zhǎng)出六邊形的石墨烯單晶，也可以生長(zhǎng)出花瓣?duì)畹氖┑膯尉А?/div>
 
計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制，內(nèi)置多種生長(zhǎng)參數(shù)
　　整個(gè)石墨烯生長(zhǎng)過(guò)程的重要參數(shù)由計(jì)算機(jī)進(jìn)行精確控制，包括溫度、氣體流量等。控制軟件內(nèi)置多種生長(zhǎng)優(yōu)化參數(shù)，用戶僅需將襯底放入樣品腔，即可開(kāi)始生長(zhǎng)。
 
制備高質(zhì)量石墨烯單晶，單晶尺寸可達(dá)數(shù)毫米
　　采用特殊優(yōu)化的生長(zhǎng)條件，可以得到尺寸達(dá)數(shù)毫米的單疇單晶。在多晶薄膜方面，可以制備得到數(shù)十厘米尺寸的單層石墨烯薄膜。
 
生長(zhǎng)13C同位素石墨烯，研究石墨烯生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程
　　G-CVD系統(tǒng)有13C同位素選項(xiàng)，交替生長(zhǎng)不同同位素石墨烯， 用于研究石墨烯生長(zhǎng)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。
 
 


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