KLA Candela® 8520表面缺陷檢測(cè)系統(tǒng)采用專有的光學(xué)技術(shù)，可同時(shí)測(cè)量?jī)蓚€(gè)入射角的散射強(qiáng)度。 它可以捕捉到形貌變化、表面反射率、相位變化和光致發(fā)光，從而對(duì)各種關(guān)鍵缺陷進(jìn)行自動(dòng)檢測(cè)與分類。KLA Candela® 8520表面缺陷檢測(cè)系統(tǒng)為氮化鎵晶圓提供表面和光致發(fā)光的缺陷檢測(cè)，對(duì)氮化鎵位錯(cuò)、凹坑和孔洞進(jìn)行檢測(cè)和分類，用于氮化鎵反應(yīng)器的缺陷控制。其功率應(yīng)用包括基于碳化硅的透明晶圓檢查和晶體缺陷分類，如基面位錯(cuò)、微管、堆疊層錯(cuò)缺陷、條形堆疊層錯(cuò)缺陷、晶界和位錯(cuò)，以及對(duì)三角形、胡蘿卜形、滴落物和劃痕等形貌缺陷進(jìn)行檢測(cè)。

功能

• 檢測(cè)寬帶隙材料上的缺陷，包括直徑達(dá)200毫米的碳化硅和氮化鎵（襯底和外延)

• 支持各種晶圓厚度

• 對(duì)微粒、劃痕、裂紋、沾污、凹坑、凸起、KOH蝕刻、胡蘿卜形與表面三角形缺陷、基平面位錯(cuò)、堆疊層錯(cuò)、晶界、位錯(cuò)和其他宏觀外延干擾進(jìn)行檢測(cè)

  
  

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應(yīng)用案例

• 襯底質(zhì)量控制

• 襯底供應(yīng)商對(duì)比

• 入廠晶圓質(zhì)量控制(IQC)

• 出廠晶圓質(zhì)量控制(OQC)

• CMP（化學(xué)機(jī)械拋光工藝）/拋光工藝控制

• 晶圓清洗工藝控制

• 外延工藝控制

• 襯底與外延缺陷關(guān)聯(lián)

• 外延反應(yīng)器供應(yīng)商的對(duì)比

• 工藝機(jī)臺(tái)監(jiān)控

行業(yè)

• 工藝設(shè)備監(jiān)控

• 其他化合物半導(dǎo)體器件

選項(xiàng)

• SECS-GEM

• 信號(hào)燈塔

• 金剛石劃線

• 校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)

• 離線軟件

• 光學(xué)字符識(shí)別(OCR)

• 光致發(fā)光