ICP CVD——感應(yīng)耦合等離子體-化學(xué)氣相沉積

感應(yīng)耦合等離子體-化學(xué)氣相沉積（ICP-CVD）

主要特點
1. 離子能量和離子電流密度分別控制
2. 典型的工藝壓強：1-10 毫托
3. 等離子體密度：大約5×1011/cm2
4. 等離子體和襯底相接觸
5. 沉積過程中離子電流的能量低
6. 離子電流（等離子體密度）取決于ICP的功率
7. ESS（靜電屏蔽）功能做到真正的感應(yīng)耦合

典型應(yīng)用:
1. 面向剝離技術(shù)的低溫沉積
2. 低溫沉積超高質(zhì)量二氧化硅
3. 低溫沉積多晶硅
4. ICP是*自動匹配（2個射頻自動匹配單元）

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