磁控濺射物理氣相沉積是多功能高壓PVD系統(tǒng),用于磁控濺射和多組分薄膜的熱蒸發(fā)，用于批量晶圓物理氣相沉積加工.
磁控濺射物理氣相沉積可在加熱至700℃的晶圓上濺射多組分層（金屬、電阻層、ITO層等）,設(shè)計(jì)用于主動(dòng)研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)。*化后的高真空不銹鋼反應(yīng)器由固定源單元和升降頂蓋組成。反應(yīng)器的***新人體工程學(xué)設(shè)計(jì)配有提升機(jī)構(gòu)，便于蒸發(fā)器單元和內(nèi)部篩網(wǎng)的日常維護(hù)。

磁控濺射物理氣相沉積特點(diǎn)
•可用于研發(fā)和小型生產(chǎn)的多功能真空沉積系統(tǒng)
•*化的系統(tǒng)人機(jī)工程學(xué)，操作和維護(hù)方便
•濺射幾何（自下而上）允許***小化樣品表面上的顆粒密度
•通過QCM、現(xiàn)場(chǎng)電阻測(cè)量等實(shí)現(xiàn)過程自動(dòng)控制。
•高壓不銹鋼圓柱電抗器，頂部法蘭提升，集成水冷
•∅200mm靶材或∅150mm靶材具有6個(gè)磁控管源的5個(gè)端口，任何系統(tǒng)配置中，一個(gè)端口可用于離子束源
•旋轉(zhuǎn)木馬式基板支架，可改變樣品尺寸
•同一工藝的濺射晶圓大數(shù)量為5×∅200 mm、6∅150 mm和30片60×48 mm
•雙面沉積時(shí)基板支架可能翻轉(zhuǎn)180°的可能性（可選）
•2個(gè)靶材直徑達(dá)∅200 mm的磁控管源和百葉窗，2個(gè)電源（DC和RF），基本配置中磁控管之間自動(dòng)重新連接
•沉積前基底清潔用離子束源（能量20÷300 eV）
•3條帶有自動(dòng)氣體流量控制器的燃?xì)夤芫€，包括防腐性能旁通管線
•工藝氣體：Ar、H2、O2、N2
•能夠安裝現(xiàn)場(chǎng)電阻測(cè)量見證樣品
•在特定濺射源下旋轉(zhuǎn)木馬定位的自動(dòng)基板
磁控濺射物理氣相沉積規(guī)格參數(shù)
工藝過程反應(yīng)器中的極限壓力:   不小于<5×10^-7
達(dá)到預(yù)處理真空的時(shí)間（<5×10^-6Torr）:   不超過25min
磁控管源的***大數(shù)量：5×∅200mm 或 6×∅150mm
離子束粒（離子能20~300eV): 可選配
襯底支架傾斜180度：  可選配
一次性處理晶圓數(shù)量：：5×∅200mm 或 6×∅150mm 或30x (60x48)mm
濺射薄膜的非均勻性： +/-2.5%  @200mm
沉積過程中晶圓旋轉(zhuǎn)的速度范圍:    0~20rpm
晶圓加熱溫度： ***高700°С
泵送系統(tǒng)性能：–渦輪分子泵，不小于1300l/s
                       –干式渦旋泵，不小于35m3/h
過程：自動(dòng)化控制